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公开(公告)号：CN105917412A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580004662.9
申请日：2015-01-08
Applicant: 苹果公司
IPC: G11C11/56 , G11C16/04 , H01L27/115 , H01L29/423
CPC classification number: G11C16/24 , G11C11/5671 , G11C16/0466 , G11C16/0475 , G11C16/10 , G11C16/26 , H01L27/11568 , H01L29/42328
Abstract: 本发明公开了一种设备，该设备包括存储器和读/写(R/W)单元。该存储器包括耦接到公共电荷俘获层的多个栅极。该R/W单元被配置为通过生成并读取公共电荷俘获层中的一组带电区域来对存储器进行编程和读取，其中该一组中的至少给定区域并非唯一地与栅极中的任何单个栅极相关联。
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公开(公告)号：CN110097908B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910367528.5
申请日：2015-01-08
Applicant: 苹果公司
Abstract: 本申请涉及使用附加带电区域来改善电荷俘获存储器结构中的存储。本发明公开了一种设备，该设备包括存储器和读/写(R/W)单元。该存储器包括耦接到公共电荷俘获层的多个栅极。该R/W单元被配置为通过生成并读取公共电荷俘获层中的一组带电区域来对存储器进行编程和读取，其中该一组中的至少给定区域并非唯一地与栅极中的任何单个栅极相关联。
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公开(公告)号：CN110097908A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910367528.5
申请日：2015-01-08
Applicant: 苹果公司
IPC: G11C11/56 , G11C16/04 , G11C16/10 , G11C16/26 , H01L27/11568
Abstract: 本申请涉及使用附加带电区域来改善电荷俘获存储器结构中的存储。本发明公开了一种设备，该设备包括存储器和读/写(R/W)单元。该存储器包括耦接到公共电荷俘获层的多个栅极。该R/W单元被配置为通过生成并读取公共电荷俘获层中的一组带电区域来对存储器进行编程和读取，其中该一组中的至少给定区域并非唯一地与栅极中的任何单个栅极相关联。
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公开(公告)号：CN105917412B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201580004662.9
申请日：2015-01-08
Applicant: 苹果公司
Abstract: 本发明公开了一种设备，该设备包括存储器和读/写(R/W)单元。该存储器包括耦接到公共电荷俘获层的多个栅极。该R/W单元被配置为通过生成并读取公共电荷俘获层中的一组带电区域来对存储器进行编程和读取，其中该一组中的至少给定区域并非唯一地与栅极中的任何单个栅极相关联。
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