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公开(公告)号：CN102565507A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110408293.3
申请日：2011-12-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R19/00
Abstract: 实施例涉及磁场电流传感器。在一个实施例中，一种形成用于磁场电流传感器的导体夹具的方法包括：形成足迹部分；形成第一和第二接触部分；以及形成分别将第一和第二接触部分耦合到足迹部分的第一和第二支柱部分，所述第一和第二支柱部分具有恒定的高度并且与第一和第二接触部分以及足迹部分成近似直角。
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公开(公告)号：CN105486907A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510635348.2
申请日：2015-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R33/07 , G01R15/202 , G01R15/205 , G01R15/207 , G01R33/0005
Abstract: 本公开的实施例提供了一种电流传感器，所述电流传感器包括导电元件和至少两个磁场传感器。所述导电元件包括至少三个分离的端子区、公共导电区、以及将相应的分离端子区连接到所述公共导电区的至少三个分离的中间区。所述端子区中的每一个经由所述至少三个分离的中间区中的相应的分离中间区分别地连接至所述公共导电区以将对相应端子区施加的电流引导至所述公共导电区中。所述至少两个磁场传感器被布置在与所述至少三个分离的中间区相邻的不同几何位置处，其中，所述磁场传感器中的每一个被配置为感测流入所述公共导电区的每个电流的磁场分量以在其基础之上提供传感器信号。
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公开(公告)号：CN102565506B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110367738.8
申请日：2011-11-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R33/07 , G01R15/207
Abstract: 本发明涉及电流传感器。本发明的实施例提供了一种包括导电元件和至少两个磁场传感器的电流传感器。所述导电元件包括至少三个端子区以及公共导电区，其中，所述至少三个端子区中的每一个连接至所述公共导电区，以将对相应端子区施加的电流引导至所述公共导电区中。所述至少两个磁场传感器被布置在与所述公共导电区相邻的不同几何位置处，其中，所述至少两个磁场传感器中的每一个被配置为感测流入所述公共导电区的每个电流的磁场分量以基于感测到的磁场分量来提供传感器信号。
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公开(公告)号：CN105486907B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201510635348.2
申请日：2015-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R19/00
Abstract: 本公开的实施例提供了一种电流传感器，所述电流传感器包括导电元件和至少两个磁场传感器。所述导电元件包括至少三个分离的端子区、公共导电区、以及将相应的分离端子区连接到所述公共导电区的至少三个分离的中间区。所述端子区中的每一个经由所述至少三个分离的中间区中的相应的分离中间区分别地连接至所述公共导电区以将对相应端子区施加的电流引导至所述公共导电区中。所述至少两个磁场传感器被布置在与所述至少三个分离的中间区相邻的不同几何位置处，其中，所述磁场传感器中的每一个被配置为感测流入所述公共导电区的每个电流的磁场分量以在其基础之上提供传感器信号。
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公开(公告)号：CN102539882A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110408331.5
申请日：2011-12-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： U.奥塞莱希纳
IPC: G01R19/00
Abstract: 实施例涉及磁场电流传感器。在一个实施例中，一种磁场电流传感器包括：半导体管芯，具有第一和第二相对的表面并且包括至少一个磁场感测元件；以及单一导体，包括足迹部分、第一和第二支柱部分以及第一和第二接触部分，第一支柱部分具有第一高度并且将第一接触部分耦合到足迹部分，第二支柱部分具有第一高度并且将第二接触部分耦合到足迹部分，第一高度是将足迹部分与第一和第二接触部分分开的单调竖直尺寸，并且足迹部分将导体耦合到管芯的第一表面，使得足迹部分基本上平行于管芯的第一表面且处于第一表面的周界内，并且第一和第二接触部分比第二表面更靠近第一表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102401851A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110254393.5
申请日：2011-08-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R31/2856 , G01R15/202 , G01R15/207 , G01R33/072 , H01L22/30 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及薄晶片电流传感器。实施例涉及使用薄晶片制造工艺制造的IC电流传感器。这样的技术可以包括其中利用研磨前划片（DBG）的处理，这可以改进可靠性并且使应力效应最小化。尽管实施例利用面朝上安装，但是在其他实施例中通过过孔接触而使面朝下安装是可能的。IC电流传感器实施例可以在使常常与传统的IC电流传感器相关联的缺陷最小化的同时呈现许多优点。
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公开(公告)号：CN102401851B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201110254393.5
申请日：2011-08-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R31/2856 , G01R15/202 , G01R15/207 , G01R33/072 , H01L22/30 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及薄晶片电流传感器。实施例涉及使用薄晶片制造工艺制造的IC电流传感器。这样的技术可以包括其中利用研磨前划片（DBG）的处理，这可以改进可靠性并且使应力效应最小化。尽管实施例利用面朝上安装，但是在其他实施例中通过过孔接触而使面朝下安装是可能的。IC电流传感器实施例可以在使常常与传统的IC电流传感器相关联的缺陷最小化的同时呈现许多优点。
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公开(公告)号：CN102539882B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110408331.5
申请日：2011-12-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： U.奥塞莱希纳
IPC: G01R19/00
Abstract: 实施例涉及磁场电流传感器。在一个实施例中，一种磁场电流传感器包括：半导体管芯，具有第一和第二相对的表面并且包括至少一个磁场感测元件；以及单一导体，包括足迹部分、第一和第二支柱部分以及第一和第二接触部分，第一支柱部分具有第一高度并且将第一接触部分耦合到足迹部分，第二支柱部分具有第一高度并且将第二接触部分耦合到足迹部分，第一高度是将足迹部分与第一和第二接触部分分开的单调竖直尺寸，并且足迹部分将导体耦合到管芯的第一表面，使得足迹部分基本上平行于管芯的第一表面且处于第一表面的周界内，并且第一和第二接触部分比第二表面更靠近第一表面。
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公开(公告)号：CN103969606A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410043272.X
申请日：2014-01-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： U.奥塞莱希纳
CPC classification number: G01R33/0017 , G01R33/0029 , G01R33/07 , G01R33/075 , G01R33/077
Abstract: 本发明涉及用于传感器器件和系统中的偏移降低的系统和方法。实施例涉及用于降低传感器器件和系统中的误差的系统和方法。在实施例中，所述传感器器件包括磁场传感器器件，诸如普通的或垂直的霍尔传感器器件，并且要降低的误差是残余偏移误差，不过在其他实施例中，其他传感器器件能够被使用和/或其他类型的误差能够被作为降低或消除的目标。在一个实施例中，不彼此电耦合的至少两个此类传感器器件以自旋电流型模式顺序地操作，以便获得来自至少两个传感器器件中的每一个的单独输出信号。然后，能够计算总输出信号，诸如通过平均或以其他方式合并来自每个传感器器件的单独输出信号。
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公开(公告)号：CN105242097B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201510720530.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明涉及薄晶片电流传感器。实施例涉及使用薄晶片制造工艺制造的IC电流传感器。这样的技术可以包括其中利用研磨前划片（DBG）的处理，这可以改进可靠性并且使应力效应最小化。尽管实施例利用面朝上安装，但是在其他实施例中通过过孔接触而使面朝下安装是可能的。IC电流传感器实施例可以在使常常与传统的IC电流传感器相关联的缺陷最小化的同时呈现许多优点。
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