公开(公告)号：CN102435962A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110275173.0

申请日：2011-09-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.埃利安 ,  R.赫尔曼 ,  J.斯特林 ,  T.韦特

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/0017 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/00 ,  G01R33/072 ,  G01R33/091 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01L43/00 ,  H01L43/08 ,  Y10T29/49002

Abstract: 描述和描绘了涉及针对磁传感器的磁偏置场的生成的实施例。本发明提供一种设备，其包括：偏置场生成器，用于为磁传感器提供磁偏置场，其中所述偏置场生成器被配置成在第一方向上提供使所述传感器偏置的磁场分量，其中所述偏置场生成器包括具有空腔的主体，所述主体包括磁材料或可磁化材料，所述空腔在所述第一方向和所述第一方向的横向上延伸，以使得所述空腔至少在第二方向和第三方向上横向地以所述主体的材料为界，所述第二方向正交于所述第一方向并且所述第三方向正交于所述第二方向和所述第一方向。

公开(公告)号：CN104863732B

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201510087014.6

申请日：2015-02-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.莫茨 ,  T.韦特

IPC: F02D41/02

Abstract: 本发明涉及切换设备、切换系统和切换方法。本公开涉及切换装置，该切换装置包括：用于传感器信号的输入，该传感器信号具有传感器信号幅度；和处理电路系统，该处理电路系统基于传感器信号幅度和取决于所述传感器信号幅度的权重因子来确定切换阈值并且当传感器信号的水平越过切换阈值时生成切换信号。

公开(公告)号：CN102435962B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110275173.0

申请日：2011-09-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.埃利安 ,  R.赫尔曼 ,  J.斯特林 ,  T.韦特

IPC: G01R33/09

Abstract: 描述和描绘了涉及针对磁传感器的磁偏置场的生成的实施例。本发明提供一种设备，其包括：偏置场生成器，用于为磁传感器提供磁偏置场，其中所述偏置场生成器被配置成在第一方向上提供使所述传感器偏置的磁场分量，其中所述偏置场生成器包括具有空腔的主体，所述主体包括磁材料或可磁化材料，所述空腔在所述第一方向和所述第一方向的横向上延伸，以使得所述空腔至少在第二方向和第三方向上横向地以所述主体的材料为界，所述第二方向正交于所述第一方向并且所述第三方向正交于所述第二方向和所述第一方向。

公开(公告)号：CN104863732A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510087014.6

申请日：2015-02-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.莫茨 ,  T.韦特

IPC: F02D41/02

CPC classification number: H01H47/00 ,  F02D41/009 ,  F02D41/3005 ,  F02P7/067 ,  F02P7/07 ,  F02P9/00 ,  G01D5/24452 ,  Y10T307/766 ,  Y10T307/826

Abstract: 本发明涉及切换设备、切换系统和切换方法。本公开涉及切换装置，该切换装置包括：用于传感器信号的输入，该传感器信号具有传感器信号幅度；和处理电路系统，该处理电路系统基于传感器信号幅度和取决于所述传感器信号幅度的权重因子来确定切换阈值并且当传感器信号的水平越过切换阈值时生成切换信号。

公开(公告)号：CN202421482U

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201120347778.1

申请日：2011-09-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.埃利安 ,  R.赫尔曼 ,  J.斯特林 ,  T.韦特

IPC: G01R33/09 ,  G01B7/00 ,  G01P3/42

CPC classification number: G01R33/0017 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/00 ,  G01R33/072 ,  G01R33/091 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01L43/00 ,  H01L43/08 ,  Y10T29/49002

Abstract: 描述和描绘了涉及针对磁传感器的磁偏置场的生成的实施例。本实用新型提供一种设备，其包括：偏置场生成器，用于为磁传感器提供磁偏置场，其中所述偏置场生成器被配置成在第一方向上提供使所述传感器偏置的磁场分量，其中所述偏置场生成器包括具有空腔的主体，所述主体包括磁材料或可磁化材料，所述空腔在所述第一方向和所述第一方向的横向上延伸，以使得所述空腔至少在第二方向和第三方向上横向地以所述主体的材料为界，所述第二方向正交于所述第一方向并且所述第三方向正交于所述第二方向和所述第一方向。