公开(公告)号：CN107785343A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710740764.8

申请日：2017-08-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·阿纳尼耶夫 ,  R·鲍尔 ,  H·克尔纳 ,  Y·Y·陈 ,  J·瓦尔特

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/02 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/02122 ,  H01L2224/10122 ,  H01L2224/13

Abstract: 一种半导体装置包括导电接触焊盘结构。此外，所述半导体装置包括结合结构。所述结合结构至少在封闭的界面区域处与导电接触焊盘结构接触。附加地，半导体装置包括侧向包围所述封闭的界面区域的劣化防止结构。所述劣化防止结构垂直方向上位于所述结合结构的一部分与所述导电接触焊盘结构的一部分之间。