公开(公告)号：CN107450002A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710356498.9

申请日：2017-05-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.卡莱蒂 ,  A.皮杜蒂 ,  G.施里特瑟

IPC: G01R31/26

CPC classification number: H02H7/205 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/866 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H02H3/20 ,  H01L2924/00 ,  G01R31/2607

Abstract: 本发明公开器件过压检测器。描述了一种半导体器件过压检测结构，其包括电流路径，所述电流路径包括与熔断器串联连接的齐纳二极管。该齐纳二极管被配置成响应于半导体器件处的过压状况而传导电流，并且该熔断器被配置成响应于该齐纳二极管传导电流来永久地断开该过压检测结构的电流路径。