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公开(公告)号：CN102916593B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210274775.9
申请日：2012-08-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H02M1/42 , H02M1/4208 , H02M3/155 , H02M3/158 , H02M7/12 , H02M7/48 , Y02B70/126
Abstract: 本发明涉及功率转换器电路。一种功率转换器包括带有输入端子和输出端子的DC/AC转换器。一种DC/DC转换器包括用于接收DC输入电压的输入端子和用于提供DC输出电压的输出端子。输出端子被耦合到DC/AC转换器的输入端子。DC/DC转换器还包括被配置为控制依赖于基准信号的DC/DC转换器的输出电流的控制电路。基准信号具有依赖于AC输出电压的频率的频率。
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公开(公告)号：CN110556373B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910469093.5
申请日：2019-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在此描述了整流器器件。根据一个实施例，整流器器件包括掺杂有第一掺杂类型的掺杂剂的半导体本体以及布置在半导体本体中并且掺杂有第二掺杂类型的掺杂剂的一个或多个阱区。因此，一个或多个阱区和周围的半导体本体形成pn结。整流器器件包括阳极端子和阴极端子，阳极端子和阴极端子被通过第一MOS晶体管和二极管的负载电流路径连接，二极管并联连接于负载电流路径。在操作期间，在阳极端子和阴极端子之间施加有交流输入电压。整流器器件包括控制电路，该控制电路被配置为在导通时间段内使第一MOS晶体管开启，在所述导通时间段期间二极管被正向偏置。第一MOS晶体管和二极管被集成在半导体本体中，并且控制电路至少部分地被布置在一个或多个阱区中。整流器器件进一步包括可控阻抗电路，该可控阻抗电路电连接在半导体本体和一个或多个阱区中的第一阱区之间，并且被配置为在半导体本体和第一阱区之间提阻抗电流路径。电流路径的阻抗取决于交流输入电压的瞬时电平。
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公开(公告)号：CN102801341A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210168032.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M2001/007 , Y02B70/126
Abstract: 本发明涉及具有PFC和DC/DC转换器的AC/DC转换器。公开了一种包括功率因数校正器和DC/DC转换器的功率转换器以及一种功率转换方法。
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公开(公告)号：CN107450002A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710356498.9
申请日：2017-05-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R31/26
CPC classification number: H02H7/205 , H01L23/49562 , H01L23/5256 , H01L27/0255 , H01L27/0288 , H01L29/866 , H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H02H3/20 , H01L2924/00 , G01R31/2607
Abstract: 本发明公开器件过压检测器。描述了一种半导体器件过压检测结构，其包括电流路径，所述电流路径包括与熔断器串联连接的齐纳二极管。该齐纳二极管被配置成响应于半导体器件处的过压状况而传导电流，并且该熔断器被配置成响应于该齐纳二极管传导电流来永久地断开该过压检测结构的电流路径。
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公开(公告)号：CN110556371B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910469806.8
申请日：2019-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在此描述了整流器器件。根据一个实施例，整流器器件包括掺杂有第一掺杂类型的掺杂剂的半导体本体以及布置在半导体本体中并且掺杂有第二掺杂类型的掺杂剂的一个或多个阱区。由此，一个或多个阱区和周围的半导体本体形成pn结。整流器器件进一步包括阳极端子和阴极端子，阳极端子和阴极端子被通过第一MOS晶体管和二极管的负载电流路径连接，二极管与负载电流路径并联。在整流器器件的操作期间，在阳极端子和阴极端子之间施加有交流输入电压。整流器器件包括控制电路，该控制电路被配置为在导通时间段内使第一MOS晶体管开启，在所述导通时间段期间二极管被正向偏置，其中第一MOS晶体管和二极管被集成在半导体本体中并且控制电路至少部分地被布置在一个或多个阱区中。进一步地，整流器器件包括开关电路，该开关电路被配置为只要交流输入电压高于门限值，就将一个或多个阱区中的第一阱区与阳极端子电连接，并且只要交流输入电压处于或低于门限值，就将第一阱区的电压朝向交流输入电压拉动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110556373A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910469093.5
申请日：2019-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在此描述了整流器器件。根据一个实施例，整流器器件包括掺杂有第一掺杂类型的掺杂剂的半导体本体以及布置在半导体本体中并且掺杂有第二掺杂类型的掺杂剂的一个或多个阱区。因此，一个或多个阱区和周围的半导体本体形成pn结。整流器器件包括阳极端子和阴极端子，阳极端子和阴极端子被通过第一MOS晶体管和二极管的负载电流路径连接，二极管并联连接于负载电流路径。在操作期间，在阳极端子和阴极端子之间施加有交流输入电压。整流器器件包括控制电路，该控制电路被配置为在导通时间段内使第一MOS晶体管开启，在所述导通时间段期间二极管被正向偏置。第一MOS晶体管和二极管被集成在半导体本体中，并且控制电路至少部分地被布置在一个或多个阱区中。整流器器件进一步包括可控阻抗电路，该可控阻抗电路电连接在半导体本体和一个或多个阱区中的第一阱区之间，并且被配置为在半导体本体和第一阱区之间提阻抗电流路径。电流路径的阻抗取决于交流输入电压的瞬时电平。
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公开(公告)号：CN103731022B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310480331.5
申请日：2013-10-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H02M1/42
CPC classification number: H02J7/0052 , H02M1/42 , H02M1/4225 , H02M3/158 , H02M2001/0032 , Y02B70/126 , Y02B70/16
Abstract: 本发明涉及有源功率因数校正器电路。根据实施例，一种电子设备包括被配置成耦合到功率因数校正器的第一开关的控制器。所述控制器被配置成依赖于负载电流产生可变开关频率。对于第一负载电流，所述控制器被配置成产生第一开关频率，并且对于第二负载电流，所述控制器被配置成产生第二开关频率。
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公开(公告)号：CN103731022A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310480331.5
申请日：2013-10-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H02M1/42
CPC classification number: H02J7/0052 , H02M1/42 , H02M1/4225 , H02M3/158 , H02M2001/0032 , Y02B70/126 , Y02B70/16
Abstract: 本发明涉及有源功率因数校正器电路。根据实施例，一种电子设备包括被配置成耦合到功率因数校正器的第一开关的控制器。所述控制器被配置成依赖于负载电流产生可变开关频率。对于第一负载电流，所述控制器被配置成产生第一开关频率，并且对于第二负载电流，所述控制器被配置成产生第二开关频率。
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公开(公告)号：CN110556371A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910469806.8
申请日：2019-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在此描述了整流器器件。根据一个实施例，整流器器件包括掺杂有第一掺杂类型的掺杂剂的半导体本体以及布置在半导体本体中并且掺杂有第二掺杂类型的掺杂剂的一个或多个阱区。由此，一个或多个阱区和周围的半导体本体形成pn结。整流器器件进一步包括阳极端子和阴极端子，阳极端子和阴极端子被通过第一MOS晶体管和二极管的负载电流路径连接，二极管与负载电流路径并联。在整流器器件的操作期间，在阳极端子和阴极端子之间施加有交流输入电压。整流器器件包括控制电路，该控制电路被配置为在导通时间段内使第一MOS晶体管开启，在所述导通时间段期间二极管被正向偏置，其中第一MOS晶体管和二极管被集成在半导体本体中并且控制电路至少部分地被布置在一个或多个阱区中。进一步地，整流器器件包括开关电路，该开关电路被配置为只要交流输入电压高于门限值，就将一个或多个阱区中的第一阱区与阳极端子电连接，并且只要交流输入电压处于或低于门限值，就将第一阱区的电压朝向交流输入电压拉动。
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公开(公告)号：CN102801341B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210168032.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M2001/007 , Y02B70/126
Abstract: 本发明涉及具有PFC和DC/DC转换器的AC/DC转换器。公开了一种包括功率因数校正器和DC/DC转换器的功率转换器以及一种功率转换方法。
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