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公开(公告)号：CN115436770A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211069243.1
申请日：2022-09-01
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本揭露提供了一种测试系统、调变电路及待测组件的测试方法。一种测试系统包含控制电路及调变电路。控制电路经组态以计算一待测组件的一功率值。调变电路经组态以接收控制电路所产生的一控制信号，且依据控制信号提供一电压信号至待测组件。控制电路依据功率值调整控制信号的脉宽，待测组件的功率值保持恒定且控制电路侦测待测组件的一参数。
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公开(公告)号：CN119689061A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411863926.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件测试电路的电流测量装置及其测量方法。该电流测量装置包括多层电路板和多个贴片电阻，其中，多层电路板至少包括相对设置的第一电路板和第二电路板，多层电路板设有多个贯穿多层电路板的第一通孔，至少两个贴片电阻之间并联连接，各个贴片电阻分别嵌入多层电路板的各个第一通孔内，各个贴片电阻分别包括相对设置的第一检测端和第二检测端，连接至第一检测端的待测电路的走线的电流方向与连接至第二检测端的待测电路的走线的电流方向至少部分相反，第一检测端和第二检测端均用于外接电压测量装置。可实现，提供一种高带宽和低插入电感的电流测量装置。
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公开(公告)号：CN118198019B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410612691.4
申请日：2024-05-17
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种降压转化器封装结构，包括：第一导电层；硅基金属‑氧化物场效应晶体管；硅基金属‑氧化物场效应晶体管的第一漏极和第一导电层接触；氮化镓基高电子迁移率晶体管和硅基金属‑氧化物场效应晶体管位于第一导电层的同一侧，第二衬底和第一导电层接触；第二外延层内设置有导电通孔；电容，电容的第一极板与硅基金属‑氧化物场效应晶体管的第一源极通过导电条带电连接；电容的第二极板与氮化镓基高电子迁移率晶体管的第二漏极通过导电条带电连接；功率电感的第一端与第一漏极以及第二源极电连接，功率电感的第二端与降压转化器封装结构的第一信号输出端引脚电连接。本发明实施例提供的技术方案降低了降压转化器封装结构的热阻。
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公开(公告)号：CN117148089A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311281700.8
申请日：2023-09-28
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件测试方法及装置。测试方法由功率器件测试装置实现，测试装置包括桥式电路和感性负载，桥式电路包括多个开关，被测功率器件作为桥式电路中一开关；测试方法包括：控制桥式电路对感性负载充放电，并调节感性负载在每一充放电周期的放电时长或充电时长，以使被测功率器件的开通电流逐步达到预设电流，并维持开通电流为预设电流；根据每一充放电周期中，被测功率器件的开通电流与被测功率器件的开通电压，确定被测功率器件在每一充放电周期的阻值，以对被测功率器件的动态电阻进行测试。本发明的技术方案方便对被测功率器件的开通电流进行准确调节，有利于提高被测功率器件动态测试的准确性。
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公开(公告)号：CN115966566A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211463546.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8252
Abstract: 一种氮化物基半导体器件，包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、晶体管、第一二极管以及第二二极管。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，第二氮化物半导体层的带隙大述第一氮化物半导体层的带隙。晶体管设置述第二氮化物半导体层上。第一二极管设置在第二氮化物半导体层上，第一二极管的阴极连接至晶体管的栅极。第二二极管设置在第二氮化物半导体层上，第二二极管的的阴极连接至晶体管的漏极，且第一二极管的阳极连接至第二二极管的阳极，其中第二二极管的击穿电压小于晶体管的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118198019A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410612691.4
申请日：2024-05-17
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种降压转化器封装结构，包括：第一导电层；硅基金属‑氧化物场效应晶体管；硅基金属‑氧化物场效应晶体管的第一漏极和第一导电层接触；氮化镓基高电子迁移率晶体管和硅基金属‑氧化物场效应晶体管位于第一导电层的同一侧，第二衬底和第一导电层接触；第二外延层内设置有导电通孔；电容，电容的第一极板与硅基金属‑氧化物场效应晶体管的第一源极通过导电条带电连接；电容的第二极板与氮化镓基高电子迁移率晶体管的第二漏极通过导电条带电连接；功率电感的第一端与第一漏极以及第二源极电连接，功率电感的第二端与降压转化器封装结构的第一信号输出端引脚电连接。本发明实施例提供的技术方案降低了降压转化器封装结构的热阻。
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公开(公告)号：CN115436770B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202211069243.1
申请日：2022-09-01
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本揭露提供了一种测试系统、调变电路及待测组件的测试方法。一种测试系统包含控制电路及调变电路。控制电路经组态以计算一待测组件的一功率值。调变电路经组态以接收控制电路所产生的一控制信号，且依据控制信号提供一电压信号至待测组件。控制电路依据功率值调整控制信号的脉宽，待测组件的功率值保持恒定且控制电路侦测待测组件的一参数。
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