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发明公开
氮化物基半导体器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118696401A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202280091512.6

申请日：2022-11-14

Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司

Inventor： 李思超 , 严慧 , 李昕宇

IPC: H01L21/50 , H01L29/778

Abstract: 一种氮化物基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层，掺杂的III‑V半导体层，多个填充物和栅极。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上。掺杂的III‑V半导体层设置在第二氮化物基半导体层上，并在第二氮化物基半导体层上沿第一方向延伸。掺杂的III‑V半导体层包括沿第一方向布置的多个段。填充物设置在第二氮化物基半导体层上，并沿第一方向与掺杂的III‑V半导体层的段一起设置。栅极设置在掺杂的III‑V半导体层上，并在掺杂的III‑V半导体层上沿第一方向延伸。栅极跨越填充物。

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