公开(公告)号：CN107743620B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201680030450.2

申请日：2016-05-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·K·拉马努詹 ,  朱军 ,  M·阿拉法 ,  W·韩 ,  J·A·霍里奇

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/1009 ,  G06F12/1027 ,  G06F12/0866 ,  G06F3/06

Abstract: 实施例通常涉及用于耗损均衡的非易失性存储器的加速的地址间接表查找。存储器设备的实施例包括：非易失性存储器；存储器控制器；以及地址间接逻辑，用于提供针对非易失性存储器的地址间接，地址间接逻辑用于在非易失性存储器中维护地址间接表(AIT)，所述AIT包括多个级别，并将所述AIT的至少一部分复制到第二存储器，第二存储器具有比第一存储器更少的延迟。

公开(公告)号：CN116189728A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310193218.2

申请日：2017-01-04

Applicant: 英特尔公司

Inventor： W·韩 ,  M·阿拉法 ,  B·S·莫里斯 ,  M·普拉卡什 ,  J·K·皮克特 ,  J·K·格鲁姆斯 ,  B·奎尔巴赫 ,  E·L·佩顿 ,  王东

IPC: G11C5/04 ,  G06F13/16

Abstract: 描述了与在同一存储器插槽上支持DDR(双倍数据速率)DIMM(双列直插式存储器模块)和NVM(非易失性存储器)DIMM两者有关的方法和装置。在一个实施例中，DIMM包括易失性存储器和非易失性存储器，并且数据是经由单个存储器插槽与易失性存储器和非易失性存储器传送的。还公开并要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN115934584A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211143974.6

申请日：2022-09-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·库马 ,  B·纳拉亚那赛蒂 ,  A·安德森 ,  A·科帕德 ,  E·V·沃沃丁 ,  P·恩杜尼亚马 ,  S·P·穆拉利达拉 ,  R·阿加瓦尔 ,  M·阿拉法

IPC: G06F12/0866

Abstract: 本发明涉及设备私有存储器中的存储器访问跟踪器。集成电路的实施例可包括：本地存储器；多个逐页计数器，该多个逐页计数器位于本地存储器的非系统可寻址区域中；以及耦合至本地存储器的电路，该电路用于利用位于本地存储器的非系统可寻址区域中的多个逐页计数器对对系统可寻址存储器空间的页的访问进行计数。公开并要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN108604456A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008328.X

申请日：2017-01-04

Applicant: 英特尔公司

Inventor： W·韩 ,  M·阿拉法 ,  B·S·莫里斯 ,  M·普拉卡什 ,  J·K·皮克特 ,  J·K·格鲁姆斯 ,  B·奎尔巴赫 ,  E·L·佩顿 ,  王东

IPC: G11C5/04 ,  G06F13/16

CPC classification number: G11C14/0009 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C5/141 ,  G11C11/005

Abstract: 描述了与在同一存储器插槽上支持DDR(双倍数据速率)DIMM(双列直插式存储器模块)和NVM(非易失性存储器)DIMM两者有关的方法和装置。在一个实施例中，DIMM包括易失性存储器和非易失性存储器，并且数据是经由单个存储器插槽与易失性存储器和非易失性存储器传送的。还公开并要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN108604456B

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN201780008328.X

申请日：2017-01-04

Applicant: 英特尔公司

Inventor： W·韩 ,  M·阿拉法 ,  B·S·莫里斯 ,  M·普拉卡什 ,  J·K·皮克特 ,  J·K·格鲁姆斯 ,  B·奎尔巴赫 ,  E·L·佩顿 ,  王东

IPC: G11C5/04 ,  G06F13/16

Abstract: 描述了与在同一存储器插槽上支持DDR(双倍数据速率)DIMM(双列直插式存储器模块)和NVM(非易失性存储器)DIMM两者有关的方法和装置。在一个实施例中，DIMM包括易失性存储器和非易失性存储器，并且数据是经由单个存储器插槽与易失性存储器和非易失性存储器传送的。还公开并要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN107743620A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201680030450.2

申请日：2016-05-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·K·拉马努詹 ,  朱军 ,  M·阿拉法 ,  W·韩 ,  J·A·霍里奇

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/1009 ,  G06F12/1027 ,  G06F12/0866 ,  G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0649 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0866 ,  G06F12/1009 ,  G06F12/1027 ,  G06F2212/202 ,  G06F2212/214 ,  G06F2212/22 ,  G06F2212/7211

Abstract: 实施例通常涉及用于耗损均衡的非易失性存储器的加速的地址间接表查找。存储器设备的实施例包括：非易失性存储器；存储器控制器；以及地址间接逻辑，用于提供针对非易失性存储器的地址间接，地址间接逻辑用于在非易失性存储器中维护地址间接表(AIT)，所述AIT包括多个级别，并将所述AIT的至少一部分复制到第二存储器，第二存储器具有比第一存储器更少的延迟。