公开(公告)号：CN114649283A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111373895.X

申请日：2021-11-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·舍韦尔 ,  J·威廉姆斯 ,  B·史密斯 ,  N·佩莱德 ,  P·乔治 ,  J·阿姆斯特朗 ,  A·钦科夫 ,  M·科亨 ,  J-Y·张 ,  K·刘 ,  R·马哈詹 ,  K·洛夫格林 ,  K·阿林顿 ,  M·克罗克 ,  S·A·陈格达斯

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/427

Abstract: 可以利用沸腾增强结构形成用于集成电路组件的两相浸没冷却系统，沸腾增强结构形成在集成电路组件内的散热设备上或直接附接到所述散热设备，形成在集成电路组件内的集成电路设备上或直接附接到所述集成电路设备，和/或共形地形成在集成电路组件内的支持设备和电子板的至少一部分上方。在又一实施例中，两相浸没冷却系统可包括低沸点液体，该低沸点液体包括基本上彼此不混溶的至少两种液体。