公开(公告)号：CN115842010A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211002826.2

申请日：2022-08-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 宁鑫 ,  B·C·马林 ,  K·O·李 ,  S·K·阿卢尔 ,  N·艾哈迈德 ,  B·威廉姆斯 ,  M·斯图尔特 ,  N·欧 ,  C·库里亚沙

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 显示了衬底中的传输路径和相关联的方法。示例传输路径包括：具有芯的半导体衬底、固定在芯上的电介质层、延伸穿过电介质层和芯中的至少一个的至少一个第一电传输路径。第一路径包括：设置在至少一个第一电传输路径的至少芯内的磁性材料、延伸穿过磁性材料的至少一个第二电传输路径、设置在至少第二电传输路径内的磁性材料的内圆周表面上的镍层、设置在第二电传输路径内的至少镍层上的铜层。电介质间隔体或镍层将铜层与磁性材料分离。至少一个第三路径延伸穿过电介质层和芯中的至少一个，至少一个第三路径与至少一个电传输路径分离。

公开(公告)号：CN105531639B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201380079545.X

申请日：2013-12-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·彼得威尔柏奇 ,  M·加利纳 ,  M·海默耶 ,  S·洛夫兰德 ,  P·伊拉瓦拉沙 ,  M·斯图尔特 ,  K·伯德

IPC: G06F1/16

Abstract: 系统和方法可提供一设备，该设备包括壳体；定位在壳体内的一个或多个电子部件；以及定位在壳体内的第一固化树脂组合物，该第一固化树脂组合物包括热能存储材料和第一填充材料。设备还可包括定位在壳体内的第二固化树脂组合物，该第二固化树脂组合物包括热能存储材料和第二填充材料。第一填充材料与第二填充材料可不同，其中第一固化树脂组合物和第二固化树脂组合物可包封一个或多个电子部件中的至少一个。在其他示例中，电子部件包括电源，并且该设备符合爆炸性环境的ATEX设备指令。此外，部件底部填充和/或组件包覆模制过程可用于制造设备。

公开(公告)号：CN105531639A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201380079545.X

申请日：2013-12-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·彼得威尔柏奇 ,  M·加利纳 ,  M·海默耶 ,  S·洛夫兰德 ,  P·伊拉瓦拉沙 ,  M·斯图尔特 ,  K·伯德

IPC: G06F1/16

Abstract: 系统和方法可提供一设备，该设备包括壳体；定位在壳体内的一个或多个电子部件；以及定位在壳体内的第一固化树脂组合物，该第一固化树脂组合物包括热能存储材料和第一填充材料。设备还可包括定位在壳体内的第二固化树脂组合物，该第二固化树脂组合物包括热能存储材料和第二填充材料。第一填充材料与第二填充材料可不同，其中第一固化树脂组合物和第二固化树脂组合物可包封一个或多个电子部件中的至少一个。在其他示例中，电子部件包括电源，并且该设备符合爆炸性环境的ATEX设备指令。此外，部件底部填充和/或组件包覆模制过程可用于制造设备。