公开(公告)号：CN116344488A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211468094.6

申请日：2022-11-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·H·内勒 ,  C·杰泽斯基

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  C23C16/56 ,  C23C14/58 ,  C25D5/48 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  C23C8/08 ,  C23C8/28 ,  C23C8/80

Abstract: 包括经受一种或多种硫属化技术以形成盖的互连线金属化特征的集成电路互连结构可以减小线电阻。块体线材料的顶部部分可以有利地结晶成具有特别大的晶体结构的金属硫属化物盖。因此，块体材料的顶部部分的硫属化可相对于块体材料用替代材料(例如非晶电介质或细晶粒金属或石墨材料)覆盖的替代方案降低了互连线的散射电阻。

公开(公告)号：CN118281072A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311266568.3

申请日：2023-09-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C-C·林 ,  K·P·奥布莱恩 ,  A·V·佩努马季哈 ,  C·多罗 ,  K·马克西 ,  C·H·内勒 ,  褚涛 ,  许国伟 ,  U·阿维奇 ,  张凤 ,  洪挺翔 ,  A·北村 ,  M·S·卡夫里克

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/34 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 公开了具有与绝缘体材料支撑物堆叠在一起的沟道材料的晶体管。晶体管和集成电路系统包括材料层的堆叠体内的2D沟道材料层，还包括位于2D沟道材料层上方和/或下方的一个或多个绝缘体(例如，电介质)材料。这些支撑绝缘体层可以是非牺牲性的，而起始材料堆叠体内的其他材料层可以是牺牲性的，例如由栅极绝缘体和/或栅极材料替代。在一些示例性实施例中，2D沟道材料是金属硫属化物，并且支撑绝缘体层有利地是具有低介电常数的电介质材料成分。

公开(公告)号：CN114256334A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110981236.8

申请日：2021-08-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·K·马克西 ,  A·V·佩努玛查 ,  C·H·内勒 ,  C·J·杜罗 ,  K·P·奥布赖恩 ,  S·希瓦拉曼 ,  T·A·戈萨维 ,  U·E·阿夫哲

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L25/18 ,  H05K1/18

Abstract: 本文公开了包括二维材料的晶体管以及相关的方法和器件。在一些实施例中，晶体管可以包括第一二维沟道材料和在源极/漏极（S/D）中的第二二维源极/漏极（S/D）材料，并且第一二维材料和第二二维材料可以具有不同的成分或厚度。在一些实施例中，晶体管可以包括沟道中的第一二维材料和源极/漏极（S/D）中的第二二维材料，其中，第一二维材料是单晶材料，并且第二二维材料是单晶材料。

公开(公告)号：CN116314088A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211462451.8

申请日：2022-11-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·H·内勒 ,  C·J·杰泽斯基 ,  J·D·比勒费尔德 ,  J-R·陈 ,  R·V·谢比亚姆 ,  M·J·科布林斯基 ,  M·V·梅茨 ,  S·B·格伦迪宁 ,  S·李 ,  K·P·奥布莱恩 ,  K·K·马克西 ,  A·V·佩努马季哈 ,  C·J·多罗 ,  U·E·阿维奇

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/532 ,  H01L21/3205

Abstract: 本文描述了具有由MX或MAX材料形成的导电区域的集成电路装置。MAX材料是分层的六方碳化物和氮化物，其包括前过渡金属(M)和A族元素(A)。MX材料去除了A族元素。MAX和MX材料是高度导电的，并且它们的二维层结构允许形成非常薄的层。MAX或MX材料可以用于形成IC电路的几种导电元件，包括接触部、互连或者用于接触部或互连的衬层或阻挡区域。

公开(公告)号：CN115732473A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210889645.X

申请日：2022-07-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·H·内勒

IPC: H01L23/538

Abstract: 本文提供了用于形成诸如导电过孔或触点的互连结构的技术，互连结构被保护以免受包括反应性气体或等离子体的后续处理的影响。互连层内的导电过孔或触点可以形成有具有不同材料的覆盖层，以保护下面的金属材料不与某些反应性气体或等离子体元素反应。在一些示例中，在铜过孔上方形成钌保护层以保护铜。其他覆盖层材料可以包括钨、钴或钼。在一些实施例中，整个导电过孔可以使用钌、钨、钴或钼中的一种来形成，以避免使用反应性较高的金属，例如铜。在使用包括硫族元素(例如，硫和/或硒)的气体或等离子体的阻挡层掺杂工艺期间，覆盖层(或反应性较低的金属)用于保护过孔。