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公开(公告)号：CN106504979B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610933466.6
申请日：2016-10-24
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅薄膜的沉积方法，本发明的方法采用等离子体增强化学气相沉积设备进行氮化硅薄膜的沉积，沉积过程中，硅片依次经过进料腔、预热腔、工艺腔、冷却腔和出料腔，进料腔、预热腔和工艺腔的温度均分别随时间而升高，记进料腔的最低温度、进料腔的最高温度、预热腔的最低温度、预热腔的最高温度、工艺腔的最低温度、工艺腔的最高温度分别为T1、T1’、T2、T2’、T3和T3’，且200℃≤T1’≤250℃，T2＝T1’，硅片离开预热腔的温度与硅片进入工艺腔的温度相同，且硅片进入工艺腔后工艺腔升温至T3’。本发明的方法降低了功率输出及硅片的隐裂几率，提升了氢钝化效果，得到的太阳能电池的EFF相对于现有技术中的产品提高了0.08％，Uoc和Isc上也均有提升。
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公开(公告)号：CN112038438A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910483415.1
申请日：2019-06-04
Applicant: 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 , 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片、太阳能电池及其制备方法和应用，所述轻掺杂基片包括依次连接的P型硅片层、N型硅层、第一磷硅玻璃层、氧化层以及第二磷硅玻璃层；本发明的轻掺杂基片在后续重掺杂过程中，一方面能够增加硅片表面掺杂源的掺杂均匀性，另一方面能够降低重掺杂区的方阻值，从而降低银硅接触电阻；轻掺杂基片的制备方法简单、易于实现、适用于工业大规模的生产应用；通过该轻掺杂基片制备的带有选择性发射极的基片中的重掺杂区磷含量较高，重掺杂区方阻较低且均匀，制备的太阳能电池具有较高的光转化效率。
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公开(公告)号：CN107622962B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710812469.9
申请日：2017-09-11
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅电池片的标记方法，包括如下步骤；设计出N2种不同类型的便于标记的石墨舟卡点；在每个硅电池片的所对应的电池片仓位周边加工有N1数量个安装孔；且每个安装孔内安装有一个所述便于标记的石墨舟卡点；将石墨舟在进行镀膜工艺；将识别得到的当前所述硅电池片的电池片仓位周边的且按照安装孔周向位置分布顺序排列的N1数量个安装孔所对应的卡点类型所代表的阿拉伯数字，依次再按照从数学计数单位一端至另一端的数位顺序进行排列，进而得到当前所述硅电池片的一个N2进制表示的N1位数的编号数字；将所述编号数字作为当前所述硅电池片的标记编号。该硅电池片的标记方法，为硅电池片进行问题排查和优化分析提供了帮助。
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公开(公告)号：CN107086250B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710330442.6
申请日：2017-05-11
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C16/34 , C23C16/513
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种采用PECVD镀设减反膜的方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片放入PECVD设备的石英管内，抽真空、升温，通入反应气体，使石英管内形成反应气体的气氛氛围；将PECVD设备的电源功率调整到P1，对待处理的硅片表面进行间接法镀膜，在硅片表面沉积底层减反膜；所述P1大于40KHZ；(2)然后将PECVD设备的电源功率调整到P2，进行直接法镀膜，在所述底层减反膜上继续沉积减反膜；所述P2小于等于40KHZ；关闭电源，同时停止通入反应气体，即可完成减反膜的镀设。实验证明，采用本发明得到的减反膜的膜厚均匀性较好，且可以降低表面少子复合速率，提高少子寿命，提高电池片的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN109728104A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811557004.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 , 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种电池片钝化层中间体、太阳能电池片及其制备方法，其中所涉及的钝化层中间体包括依次沉积于硅片背面的氧化铝底膜及氧化铝外膜，且氧化铝底膜内富含羟基，基于本发明所提供钝化层中间体的结构，在具体太阳能电池片应用场景中，退火后由其形成的钝化层既能起到较好的钝化效果，还能够避免退火过程中羟基受热后穿透并破坏钝化层外表面，从而使得电池片具有较好的综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107622962A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710812469.9
申请日：2017-09-11
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅电池片的标记方法，包括如下步骤；设计出N2种不同类型的便于标记的石墨舟卡点；在每个硅电池片的所对应的电池片仓位周边加工有N1数量个安装孔；且每个安装孔内安装有一个所述便于标记的石墨舟卡点；将石墨舟在进行镀膜工艺；将识别得到的当前所述硅电池片的电池片仓位周边的且按照安装孔周向位置分布顺序排列的N1数量个安装孔所对应的卡点类型所代表的阿拉伯数字，依次再按照从数学计数单位一端至另一端的数位顺序进行排列，进而得到当前所述硅电池片的一个N2进制表示的N1位数的编号数字；将所述编号数字作为当前所述硅电池片的标记编号。该硅电池片的标记方法，为硅电池片进行问题排查和优化分析提供了帮助。
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公开(公告)号：CN106504979A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610933466.6
申请日：2016-10-24
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1868 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02299 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅薄膜的沉积方法，本发明的方法采用等离子体增强化学气相沉积设备进行氮化硅薄膜的沉积，沉积过程中，硅片依次经过进料腔、预热腔、工艺腔、冷却腔和出料腔，进料腔、预热腔和工艺腔的温度均分别随时间而升高，记进料腔的最低温度、进料腔的最高温度、预热腔的最低温度、预热腔的最高温度、工艺腔的最低温度、工艺腔的最高温度分别为T1、T1’、T2、T2’、T3和T3’，且200℃≤T1’≤250℃，T2＝T1’，硅片离开预热腔的温度与硅片进入工艺腔的温度相同，且硅片进入工艺腔后工艺腔升温至T3’。本发明的方法降低了功率输出及硅片的隐裂几率，提升了氢钝化效果，得到的太阳能电池的EFF相对于现有技术中的产品提高了0.08％，Uoc和Isc上也均有提升。
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公开(公告)号：CN111987172A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910435608.X
申请日：2019-05-23
Applicant: 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 , 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18 , B23K26/364 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供了一种用于PERC电池的基片、PERC电池及其制备方法。所述基片包括具有PN结的硅片层，以及从具有PN结的硅片层背面向外依次设置的背面钝化层和保护层；背面钝化层和保护层上开设有多个凹槽，凹槽贯通背面钝化层和保护层；凹槽沿深度方向包括第一凹槽区和第二凹槽区，第二凹槽区位于第一凹槽区的底部且与第一凹槽区连通，第一凹槽区的开口面积大于第二凹槽区的开口面积。所述PERC电池包括：上述基片，设置在基片背面的背场层，以及从基片正面向外依次设置的正面钝化层和正面电极。本发明通过在PERC电池上采用上述结构的凹槽，能够有效减少烧结后背场层材料与硅基底之间空洞的产生。
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公开(公告)号：CN110875398A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811005906.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 , 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供了一种PERC双面电池片，其背面具有钝化膜、若干铝栅线，所述钝化膜上开设有若干条贯穿槽；所述铝栅线与所述贯穿槽一一对应，部分所述铝栅线上具有向外暴露所述贯穿槽的校准窗。本发明的PERC双面电池片，通过在所述铝栅线上设有向外暴露所述贯穿槽的校准窗，在印刷铝栅线后，在所述校准窗处通过肉眼即可判断铝栅线与所述贯穿槽是否对准。
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公开(公告)号：CN107086250A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710330442.6
申请日：2017-05-11
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C16/34 , C23C16/513
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02168 , C23C16/345 , C23C16/513 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种采用PECVD镀设减反膜的方法，包括如下步骤：(1) 将待处理的硅片放入PECVD设备的石英管内，抽真空、升温，通入反应气体，使石英管内形成反应气体的气氛氛围；将PECVD设备的电源功率调整到P1，对待处理的硅片表面进行间接法镀膜，在硅片表面沉积底层减反膜；所述P1大于40KHZ；(2) 然后将PECVD设备的电源功率调整到P2，进行直接法镀膜，在所述底层减反膜上继续沉积减反膜；所述P2小于等于40KHZ；关闭电源，同时停止通入反应气体，即可完成减反膜的镀设。实验证明，采用本发明得到的减反膜的膜厚均匀性较好，且可以降低表面少子复合速率，提高少子寿命，提高电池片的光电转换效率。
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