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公开(公告)号：CN107591461B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201710779452.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种制备太阳能电池的扩散工艺，在不同压力状态下多次扩散，以制备多层PN结结构。通过控制压力的变化进行多次扩散，可以控制掺杂元素的掺杂浓度，制备多层PN结结构，该扩散工艺既可以增加PN结内建电场强度，提高开路电压，多层PN结结构的表层N++区或P++区还可以和正银栅线间形成很好的欧姆接触，从而提升电池转换效率。通过控制压力的方法制备多层PN结结构，可以避免扩散温度过高，从而避免掺杂元素的掺杂量过多、结深过深、硅片损坏等问题，提高太阳能电池的转换效率及质量。
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公开(公告)号：CN107093551A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710300181.3
申请日：2017-04-28
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: H01L21/223 , H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池片的扩散方法，所述扩散方法包括渐变扩散步骤：在元素掺杂过程中，在硅表面的掺杂元素随时间具有梯度变化的浓度。本发明通过将扩散的掺杂金属的量调整为梯度，在初期采用较小的浓度进行高温扩散，能够让近表区氧沉淀充分溶解，过多的氧沉淀不利于退火步吸除杂质，增加太阳能电池板的开压；而随着工艺过程，在后期采用较大的掺杂浓度进行高温扩散，能够迅速弥补表区的P掺杂，增加掺杂金属的有效填充。本发明提供的扩散方法，能够减少死层，溅射形成的填隙原子、位错和缺陷。
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公开(公告)号：CN108110088B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201711398699.1
申请日：2017-12-21
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池的低压扩散工艺及利用其制备得到的太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，该太阳能电池的低压扩散工艺，扩散过程完成后采用氧气进行回压然后再进行氧化处理。利用该低压扩散工艺能够缓解现有技术的低压扩散工艺造成的氧化层形成速度慢、厚度薄以及由此导致的太阳能电池效率低的技术问题，达到了提高电池片转换效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN106504979B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610933466.6
申请日：2016-10-24
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅薄膜的沉积方法，本发明的方法采用等离子体增强化学气相沉积设备进行氮化硅薄膜的沉积，沉积过程中，硅片依次经过进料腔、预热腔、工艺腔、冷却腔和出料腔，进料腔、预热腔和工艺腔的温度均分别随时间而升高，记进料腔的最低温度、进料腔的最高温度、预热腔的最低温度、预热腔的最高温度、工艺腔的最低温度、工艺腔的最高温度分别为T1、T1’、T2、T2’、T3和T3’，且200℃≤T1’≤250℃，T2＝T1’，硅片离开预热腔的温度与硅片进入工艺腔的温度相同，且硅片进入工艺腔后工艺腔升温至T3’。本发明的方法降低了功率输出及硅片的隐裂几率，提升了氢钝化效果，得到的太阳能电池的EFF相对于现有技术中的产品提高了0.08％，Uoc和Isc上也均有提升。
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公开(公告)号：CN106057980B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201610626807.5
申请日：2016-08-03
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/223
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法，包括如下步骤：(1)进舟；(2)调温至800℃以下，通入携磷源氮气及干氧，形成含磷的二氧化硅层；(3)进行低温扩散；(4)将炉内温度升高，边升温边推进；(5)进行第一次高温扩散，(6)将炉内温度升高，边升温边推进；(7)进行第二次高温扩散，(8)将炉内温度降低，边降温边推进；(9)降温出舟，完成扩散过程。本发明增强了氧化吸杂效果并控制磷掺杂的浓度梯度，利于载流子的分离与收集，提高开路电压，控制降温过程中的温度差，提高晶界吸杂效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107507887B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710741576.7
申请日：2017-08-25
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种控制掺杂曲线一致性的方法，属于光伏技术领域。该方法包括进舟步、升温步、氧化步、分步沉积、升温推结步、降温退火步、出舟步，其中，分步沉积为，在炉尾到炉口存在温度梯度的情况下，通入氮气、氧气、掺杂源气体进行预沉积；其扩散工艺采用分步多次沉积的方法，增加硅片表面掺杂源的掺杂均匀性，并且通过设计沉积步温度，使各温区温度从炉尾到炉口依次增加，形成温度梯度，增加了炉口区域的掺杂源在硅中的固溶度，补偿了炉口区域掺杂源掺杂过少的问题，保证了表面浓度的一致性及各区域掺杂源掺杂量的一致性，进而保证硅片结深一致性；通过该方法使扩散工艺的掺杂曲线更一致，电性能参数更加一致，提升了组件的CTM。
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公开(公告)号：CN107086250A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710330442.6
申请日：2017-05-11
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C16/34 , C23C16/513
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02168 , C23C16/345 , C23C16/513 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种采用PECVD镀设减反膜的方法，包括如下步骤：(1) 将待处理的硅片放入PECVD设备的石英管内，抽真空、升温，通入反应气体，使石英管内形成反应气体的气氛氛围；将PECVD设备的电源功率调整到P1，对待处理的硅片表面进行间接法镀膜，在硅片表面沉积底层减反膜；所述P1大于40KHZ；(2) 然后将PECVD设备的电源功率调整到P2，进行直接法镀膜，在所述底层减反膜上继续沉积减反膜；所述P2小于等于40KHZ；关闭电源，同时停止通入反应气体，即可完成减反膜的镀设。实验证明，采用本发明得到的减反膜的膜厚均匀性较好，且可以降低表面少子复合速率，提高少子寿命，提高电池片的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN104404627B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201410577812.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: C30B33/10 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种晶体硅RIE制绒前的表面预处理工艺，包括如下步骤：(1)超声波预清洗；(2) 采用碱性腐蚀液进行腐蚀；所述碱性腐蚀液为NaOH、NaClO与H2O的混合液；(3)去离子水清洗；(4)采用酸性混合溶液进行清洗；(5)去离子水清洗。本发明采用特制的碱性腐蚀液腐蚀去除线切割损伤层，较现有的强酸体系更容易控制，其工艺方法和设备成本更低；采用本发明的方法制备得到的太阳电池，其开路电压明显提高，电池效率提高了0.25%，取得了意想不到的效果。
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公开(公告)号：CN106486567A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610999855.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/314 , H01L21/67
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/67011 , H01L21/67098 , H01L31/02168
Abstract: 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，包括如下步骤：(1)采用PECVD方法在硅片表面沉积形成氮化硅膜；(2)将步骤(1)的硅片在氢气或氨气气氛下进行高温退火处理，(3)采用PECVD方法在步骤(2)的硅片表面沉积形成氮氧化硅膜；即可得到由氮化硅膜和氮氧化硅膜层叠组成的双层减反射膜。实验证明，与现有的单层氮化硅膜或双层叠层氮化硅膜相比，本发明的双层减反射膜具有更低的折射率，且能更好的减少电池片结区和发射区的缺陷，增加少子寿命和电池片的效率，最终制得的电池片具有更好的电性能和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106057975A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610569232.8
申请日：2016-07-19
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种PERC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：对抛光后的硅片进行预处理；然后在抛光面上沉积氧化铝钝化层；其中，所述预处理包括如下步骤：电离三甲基铝气体或笑气，将电离形成的离子在电场作用下轰击电池片抛光面，对抛光面进行清洁。本发明在背面沉积氧化铝钝化膜和SiNx薄膜之前进行了背面预处理步骤，对背表面进行了清洁，去除了脏污，从而提升了氧化铝的钝化作用,得到的PERC太阳能电池的电池效率提升0.2~0.3%。
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