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公开(公告)号：CN119297725A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411823655.9
申请日：2024-12-12
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本申请公开了半导体激光器及其制备方法，其中半导体激光器包括：巴条子模块，每个巴条子模块包括从下至上依次设置的P面次热沉、P面复合层、巴条芯片、N面复合层和N面次热沉，其中，P面复合层从下至上依次设置第一增补层、第一焊料层和第二增补层，N面复合层从下至上依次设置第三增补层、第二焊料层和第四增补层，第一增补层包括第一增补区，第四增补层包括第四增补区，第一增补区和第四增补区在水平方向上形状互补。本申请公开的半导体激光器及其制备方法，有效改善巴条芯片smile效应，提高半导体激光器性能，有助于光束准直、整形及合束，延长器件寿命，提高半导体激光器的可靠性；结构简单，无需额外工序，成本可控。
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公开(公告)号：CN114498289B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210336910.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法，超高真空解理镀膜装置包括：解理腔体；解理平台；半导体发光器件载具；半导体发光器件载具包括：第一承载平台，第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于第一定位槽中的第一定位销；分别位于第二定位槽中的第二定位销；第一定位销适于沿着第一定位槽在第一方向上移动；第二定位销适于沿着第二定位槽在第二方向上移动；第一定位销和第二定位销适于对从解理平台掉落至第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。超高真空解理镀膜装置的工作效率高且可长时间维持较高的真空环境。
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公开(公告)号：CN113441834A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110864190.1
申请日：2021-07-29
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: B23K26/02 , B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种激光加工检测装置，包括：检测耦合腔体；激光发生器，激光发生器适于给检测耦合腔体提供激光；激光加工输出部件和第一光纤，第一光纤分别与激光加工输出部件和检测耦合腔体连接，激光加工输出部件适于对工件进行激光加工并传输工件发出的热辐射红外光至第一光纤；位于检测耦合腔体侧部的红外温度检测器；位于检测耦合腔体中的第一反射镜，第一反射镜适于将激光发生器发射的激光反射至第一光纤中，第一反射镜还适于透过热辐射红外光。提高了检测精度。
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公开(公告)号：CN119726361B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510193767.9
申请日：2025-02-21
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/024 , H01S5/028 , H01S5/02345
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件，半导体激光芯片包括半导体芯片基体；位于半导体芯片基体第一表面的第一电极层、第一电极粘合层、腔面膜绕镀层、第一电极过渡层和第一焊接层；位于半导体芯片基体的第二表面的第二电极层；腔面膜绕镀层位于半导体激光芯片的侧面，并覆盖第一电极粘合层背向第一电极层一侧表面的边缘部分；第一电极粘合层包覆腔面膜绕镀层背向半导体芯片基体一侧表面和腔面膜绕镀层的侧面；第一电极过渡层还位于第一电极过渡层背向腔面膜绕镀层的一侧表面；第一焊接层的材料为贵金属。与相关技术相比，本发明可以提高提升半导体激光芯片的封装可靠性和散热性能。
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公开(公告)号：CN119542923B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510072590.7
申请日：2025-01-17
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/40 , H01S5/024 , H01S5/0235
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器巴条叠阵及其封装方法。该巴条叠阵包括多个堆叠组、一个电绝缘散热片和一个热沉，每个堆叠组包括一个巴条和两个导电散热隔块，巴条焊接在两个导电散热隔块之间，各堆叠组之间相互焊接，各导电散热隔块的底面上设置有多个金焊点，并且底面的两侧均具有倒角，各堆叠组的中间两个倒角为不镀金倒角，两侧的两个倒角为镀金倒角，电绝缘散热片的顶面设置有多个电绝缘刻槽。本发明中的一种半导体激光器巴条叠阵及其封装方法通过在导电散热块上两侧区分镀金倒角和不渡金倒角解决焊料挤出问题，同时还通过在导电散热块和热沉上打焊点解决巴条两侧导电散热隔块高度差带来的焊料挤出量不可控等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119726361A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510193767.9
申请日：2025-02-21
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/024 , H01S5/028 , H01S5/02345
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件，半导体激光芯片包括半导体芯片基体；位于半导体芯片基体第一表面的第一电极层、第一电极粘合层、腔面膜绕镀层、第一电极过渡层和第一焊接层；位于半导体芯片基体的第二表面的第二电极层；腔面膜绕镀层位于半导体激光芯片的侧面，并覆盖第一电极粘合层背向第一电极层一侧表面的边缘部分；第一电极粘合层包覆腔面膜绕镀层背向半导体芯片基体一侧表面和腔面膜绕镀层的侧面；第一电极过渡层还位于第一电极过渡层背向腔面膜绕镀层的一侧表面；第一焊接层的材料为贵金属。与相关技术相比，本发明可以提高提升半导体激光芯片的封装可靠性和散热性能。
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公开(公告)号：CN112332217B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011219328.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器芯片及制造方法，其中，半导体激光器芯片包括：衬底；位于所述衬底表面的半导体结构层，所述半导体结构层背向所述衬底的表面与所述半导体结构层的侧壁之间具有过渡坡面；覆盖所述过渡坡面和所述半导体结构层的侧壁的保护结构；焊料层，位于所述半导体结构层背向所述衬底的一侧。保护结构覆盖过渡坡面和半导体结构层的侧壁，可以防止焊料连通半导体结构层导致短路，同时过渡坡面的设计可以防止直角边缘位置发生破损断裂的问题。
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公开(公告)号：CN114336268A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210205786.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种高可靠性低缺陷半导体发光器件及其制备方法，高可靠性低缺陷半导体发光器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的掺杂半导体接触层，所述掺杂半导体接触层包括第一区和包围所述第一区的边缘区；位于所述掺杂半导体接触层的边缘区背离所述有源层一侧的保护层；正面电极层，位于所述第一区背离所述有源层一侧，所述第一区上的正面电极层的上表面低于所述保护层的上表面。所述半导体发光器件兼顾可靠性高和降低工艺控制成本。
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公开(公告)号：CN113866179B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111454612.4
申请日：2021-12-02
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器芯片的缺陷检测系统及检测方法。所述半导体激光器芯片的缺陷检测系统包括：半导体激光器芯片；成像透镜模块；图像获取模块，所述半导体激光器芯片输出的光束适于经过所述成像透镜模块后被所述图像获取模块接收并生成原光斑图像；转换单元，所述转换单元适于将所述原光斑图像转化为对数图像；分析模块，所述分析模块适于根据所述原光斑图像和所述对数图像的图形特征判断所述半导体激光器芯片中缺陷的位置和大小。使用本半导体激光器芯片的缺陷检测系统，可以容易的检测出半导体激光器芯片有源区中的光波长量级和亚光波长量级颗粒污染，同时缩短了检测时间，降低了使用成本。
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公开(公告)号：CN119340781B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411884880.3
申请日：2024-12-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/024 , H01S5/028 , H01S5/02355 , H01B17/56
Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法，半导体封装结构包括：第一热沉；巴条；第二热沉，第二热沉包括：绝缘导热层；第一导电层和第二导电层；第一焊接层；第一绝缘层；第一电极片；第二绝缘层；第二电极片。所述半导体封装结构的可靠性提高。
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