多结垂直腔面发射激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119496042B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510073864.4

    申请日:2025-01-17

    Abstract: 本发明涉及激光器技术领域,公开了多结垂直腔面发射激光器及其制备方法。激光器包括衬底层、外延结构、第一氧化层和第二氧化层,外延结构包括第一反射镜层、包括多个势垒层和隧道结的有源层和第二反射镜层;具有第一氧化孔的第一氧化层设置在隧道结的一侧上,第二氧化层设置在隧道结的另一侧上,具有与第一氧化孔同心的第二氧化孔,第一氧化层的氧化深度大于第二氧化层;一个隧道结、第一氧化层和第二氧化层形成一个集成结构,置于驻波场的一个波谷内。形成在隧道结两侧设置上长下短的氧化层的光场限制结构,保证谐振腔内有更多的高阶光模式,既能够对横向电流有效限制,也能够避免串联电阻增大,驻波场有效腔长缩短,光电转换效率进一步提高。

    半导体结构的生长方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN119101988B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411595147.X

    申请日:2024-11-11

    Abstract: 本申请提供一种半导体结构的生长方法,包括:步骤S1:提供反应腔,所述反应腔具有腔主体和腔盖,所述腔盖具有相对的正面和背面,所述腔盖的背面一侧设置外壳,所述腔盖和所述外壳之间具有冷却气体通道,所述冷却气体通道中用于通入冷却混合气体;步骤S2:获取测试半导体结构的生长速率随所述腔盖正面的副产物层的厚度变化的第一函数;步骤S3:获取测试半导体结构的生长速率随所述腔盖的背面的温度变化的第二函数;步骤S4:根据腔盖正面的副产物层的厚度设置腔盖背面的设定控制温度,以稳定半导体结构的生长速率,腔盖背面的设定控制温度通过冷却混合气体中不同导热率的气体的比例来控制。

    一种半导体器件的表面处理设备及其方法

    公开(公告)号:CN119747316A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202510230234.3

    申请日:2025-02-28

    Abstract: 本发明涉及半导体激光芯片表面处理技术领域,公开了一种半导体器件的表面处理设备及其方法,表面处理设备包括真空腔体、光源辐照装置、夹具和控制装置;真空腔体具有容纳空间和窗口,夹具位于容纳空间内,夹具用于固定至少一个待处理的半导体激光芯片,半导体激光芯片的解理腔面朝向窗口;光源辐照装置包括光源和温度检测组件,光源设置于窗口的外侧,温度检测组件用于检测解理腔面的温度,光源对应的光子能量大于半导体激光芯片的最大禁带宽度;控制装置用于打开光源,以及用于基于温度检测组件检测得到的解理腔面的温度调整光源的输出功率,使解理腔面的温度处于目标温度。本发明能够改善半导体激光芯片的核心部位因高温失效的情况。

    一种波长锁定的半导体激光器

    公开(公告)号:CN119009666B

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411489646.0

    申请日:2024-10-24

    Abstract: 本发明涉及半导体激光技术领域,公开了一种波长锁定的半导体激光器,半导体激光器包括半导体激光单元、快轴准直镜、偏振分光镜、1/4波片和反射型布拉格光栅透镜;偏振分光镜用于对准直后的第一偏振光进行偏振分光,得到目标偏振方向的偏振光,1/4波片用于将目标偏振方向的偏振光转换为第二偏振光,反射型布拉格光栅透镜用于对第二偏振光进行选模,并将目标波长的第二偏振光反射至1/4波片;1/4波片还用于调整目标波长的目标偏振方向的偏振光的比例,偏振分光镜还用于使目标波长的目标偏振方向的偏振光全透射或全反射,以使目标波长的目标偏振方向的偏振光返回半导体激光单元,本发明能够等效实现衍射效率可调。

    检测系统和检测方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN118670690B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411154623.4

    申请日:2024-08-22

    Inventor: 孙方圆 王俊 俞浩

    Abstract: 本发明提供一种检测系统和检测方法,检测系统包括:分束器;位于分束器第一侧的半导体激光器,半导体激光器适于输出激光束;位于半导体激光器至分束器的光路中依次排布的准直组件、第一光阑和第二光阑;位于分束器第二侧的反射镜组,反射镜组包括反射镜;位于分束器第三侧的光束分析仪;聚焦镜,位于光束分析仪和分束器之间;挡板开关,用于位于反射镜组和分束器之间;分束器用于透射部分激光束至光束分析仪、并在挡板开关打开时反射部分激光束至反射镜;反射镜用于在挡板开关打开时反射激光束沿原光路返回至半导体激光器。检测系统对半导体激光器的可靠性进行精确检测。

    半导体发光结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN119362152A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411884893.0

    申请日:2024-12-20

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法,半导体发光结构包括依次层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层;第一波导层的材料为AlxGa1‑xAs,第一波导层包括层叠的第一层第一子波导层至第M层第一子波导层;对于任意相邻的两层第一子波导层,一层第一子波导层中的Al组分x大于或等于0.5,另一层第一子波导层中的Al组分x小于或等于0.4;和/或,第二波导层的材料为AlyGa1‑yAs,第二波导层包括层叠的第一层第二子波导层至第N层第二子波导层;对于任意相邻的两层第二子波导层,一层第二子波导层中的Al组分y大于或等于0.5,另一层第二子波导层中的Al组分y小于或等于0.4。

    半导体激光器及半导体激光器的制备方法

    公开(公告)号:CN119182046A

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202411678459.7

    申请日:2024-11-22

    Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域,公开了一种半导体激光器及半导体激光器的制备方法,半导体激光器包括衬底层和外延结构,外延结构包括多个发光结构、隧道结和欧姆接触层;发光结构包括自下而上设置的下限制层、有源区和上限制层,发光结构还包括第一氧化层;多个发光结构层叠设置,相邻的两个发光结构通过隧道结连接,最下层的发光结构设置于衬底层的一侧表面上,欧姆接触层设置在最上层的外延结构远离衬底层的一侧表面上;外延结构在垂直于外延生长方向和出光方向上形成有脊型波导结构或柱状孔阵列结构,第一氧化层靠近脊型波导结构或柱状孔的侧壁为绝缘层。本发明在相同电注入下实现功率翻倍,减少焦耳热,降低功率密度。

    一种波长锁定的半导体激光器

    公开(公告)号:CN119009666A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411489646.0

    申请日:2024-10-24

    Abstract: 本发明涉及半导体激光技术领域,公开了一种波长锁定的半导体激光器,半导体激光器包括半导体激光单元、快轴准直镜、偏振分光镜、1/4波片和反射型布拉格光栅透镜;偏振分光镜用于对准直后的第一偏振光进行偏振分光,得到目标偏振方向的偏振光,1/4波片用于将目标偏振方向的偏振光转换为第二偏振光,反射型布拉格光栅透镜用于对第二偏振光进行选模,并将目标波长的第二偏振光反射至1/4波片;1/4波片还用于调整目标波长的目标偏振方向的偏振光的比例,偏振分光镜还用于使目标波长的目标偏振方向的偏振光全透射或全反射,以使目标波长的目标偏振方向的偏振光返回半导体激光单元,本发明能够等效实现衍射效率可调。

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