一种抑制厚外延层半导体器件寄生BJT的方法及结构

    公开(公告)号:CN112259536A

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN201910693631.9

    申请日:2019-07-21

    Abstract: 本发明提供一种抑制厚外延层半导体器件寄生BJT的方法及结构,其特征在于,包括以下步骤:提供半导体衬底,并在所述半导体衬底上形成外延层;在所述外延层上形成半导体器件,所述半导体器件包括:源区、漏区、栅极堆叠;在所述半导体器件周围形成与所述半导体器件不相连的导电层,用于减小基区电阻。相应地,本发明还提供一种应用本方法制造的半导体结构。采用本发明的方法以及半导体结构可以有效地抽取外延层中的非平衡载流子,大大减少寄生BJT的基区电阻,有效地抑制厚外延器件中的寄生BJT效应或者闩锁效应,从而减少泄漏电流、降低噪声、减小误开启概率,提高半导体器件的整体性能与可靠性。

    一种应用LM-80标准的测试LED模块光通维持率的设备

    公开(公告)号:CN216351142U

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN202120591560.4

    申请日:2021-03-24

    Abstract: 本实用新型提供了一种针对LM‑80标准的测试LED模块光通维持率的设备,该设备为箱体结构,整个箱体由三个独立的子箱体构成,其中两个子箱体定温运行,另一子箱体为可调温度箱,且各子箱体之间设有隔热板,各子箱体上配有观察窗;各子箱体均设有箱内环境温度温度计、通电电参数表、电流设置器和通电时间显示器等控制器;各子箱体内置有样品架,样品架内布置有散热板,散热板上设有测试位,且测试位安装在均温板上,通过均温板与散热板连接;散热板下方配有散热片,散热板上及一测试位上装有温度探测器,分别监控箱内环境温度Ta与LED模块外壳温度Ts;进一步,散热板及散热片延伸至箱体外部,通过变频风扇降温,从而有效控制Ta、Ts。

    一种元器件连续跌落试验装置

    公开(公告)号:CN209495828U

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201920066687.7

    申请日:2019-01-11

    Abstract: 本实用新型适用于跌落测试仪器技术领域,具体涉及一种元器件连续跌落试验装置,其包括支撑机构、安装于支撑机构上的电磁升降机构、可与电磁升降机构同时升降的跌落机构、控制箱以及安装于电磁升降机构上的起始位置感应器和终止位置感应器。电磁升降机构可在下降终止位置吸附跌落机构、提升跌落机构以及在上升终止位置释放跌落机构;起始位置感应器位于上升终止位置,用于触发释放跌落机构;终止位置感应器位于下降终止位置,用于触发吸附跌落机构;控制箱可控制电磁升降机构工作,并可设定跌落机构跌落的频率。这样,在试验中跌落机构可被多次提升并释放,自动执行连续跌落试验,节省人工成本,提高试验效率。

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