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公开(公告)号：CN119486448A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411411496.1
申请日：2024-10-10
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化铅量子点光电器件及其制备方法。光电器件的空穴传输层为三层结构，下界面修饰层为形成于P型有机聚合物层下表面的硫醇类小分子配体的硫化铅量子点薄膜，上界面修饰层为形成于P型有机聚合物层上表面的三五氟苯基硼掺杂的聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]薄膜。本发明通过硫醇类小分子修饰的PbS量子点过渡有机/无机界面，利用三五氟苯基硼掺杂的聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]作为一种消除与金电极势垒的普适性材料，使多种P型聚合物空穴传输层与金电极形成了稳定的欧姆接触，并有效阻隔了空气中的水氧对硫化铅量子点的侵蚀，显著提升了硫化铅量子点光电器件的效率和工作稳定性。
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公开(公告)号：CN115224201A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210718186.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿介晶半导体材料、制备方法及在太阳能电池中的应用。通过加入可与钙钛矿纳米晶表面油酸、油胺配体温和反应的引发剂去除表面配体，再引入短链有机配体诱导材料自组装，得到介观尺度几十纳米到几微米的有序纳米粒子超结构。本发明采用引发剂和有机配体通过溶液相配体交换调控纳米晶表面化学环境，能有效交换纳米晶表面绝缘配体并不破坏晶体结构；通过引入短链配体诱导纳米晶自组装制备得到有序介尺度结构的钙钛矿介晶材料；通过溶剂选择制备高度分散的高稳定介晶导电墨水，可实现一步旋涂或刮涂成膜而无需复杂的逐层沉积工艺和繁杂的配体交换过程，简化器件制备工艺；制备的钙钛矿介晶太阳能电池获得了超过14%的器件效率。
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公开(公告)号：CN113122251B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110389701.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于制备尺寸可调的铅硫族量子点的直接合成方法及其应用。将铅卤化物，硫族前驱体和溶剂混合，完全溶解后得到前驱体溶液；加入丁胺，在温度为0℃～100℃的条件下持续反应后，加入非极性溶剂沉淀，再经离心弃去上层液及真空抽干，得到铅硫族量子点，应用于太阳能电池。本发明通过调节铅、硫族前驱体的浓度和不同溶剂，在丁胺的作用下，一步直接合成尺寸可调的铅硫族量子点，解决了量子点墨水直接合成尺寸不可调的局限性，可以获得更大尺寸调控范围的量子点，并且合成大尺寸量子点在太阳能电池中实现了初步的应用。
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公开(公告)号：CN113249113B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110456929.5
申请日：2021-04-27
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿量子点材料、制备方法及其应用。本发明提供的钙钛矿量子点材料为有机功能分子修饰的立方相钙钛矿结构的ABX3，其中，A为Cs+，CH(NH2)2+或CH3NH3+，B为Pb2+，Sn2+或Yb2+，X为I‑,Cl‑或Br‑。本发明采用有机功能分子调控量子点表面态的配体补偿工艺，能有效钝化钙钛矿量子点表面缺陷，制备的薄膜不仅具有高的水、氧和热稳定性，而且兼具超高的荧光量子产率。同时，还具有制备工艺操作简单、易于调控、可重复性高等特点，在发光二极管、光电探测器、太阳能电池等领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113249113A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110456929.5
申请日：2021-04-27
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿量子点材料、制备方法及其应用。本发明提供的钙钛矿量子点材料为有机功能分子修饰的立方相钙钛矿结构的ABX3，其中，A为Cs+，CH(NH2)2+或CH3NH3+，B为Pb2+，Sn2+或Yb2+，X为I‑,Cl‑或Br‑。本发明采用有机功能分子调控量子点表面态的配体补偿工艺，能有效钝化钙钛矿量子点表面缺陷，制备的薄膜不仅具有高的水、氧和热稳定性，而且兼具超高的荧光量子产率。同时，还具有制备工艺操作简单、易于调控、可重复性高等特点，在发光二极管、光电探测器、太阳能电池等领域有着广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107792839B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201710972823.4
申请日：2017-10-18
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B19/04 , H01L29/24 , H01L29/775 , H01L21/34 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化铅纳米棒、制备方法及在场效应晶体管中的应用。以氧化铅、反式‑2‑癸烯酸为原料制备铅前驱体，再经反应和后处理，得到一种硒化铅纳米棒，分子式为PbSe，表面配体为有机酸反式‑2‑癸烯酸，带隙为1.03电子伏特。将提供的硒化铅纳米棒应用于场效应晶体管，以无机配体四正丁基卤化铵交换硒化铅纳米棒表面的有机酸配体，其电学性能显示双极性，在真空下测得的电子迁移率是0.1 cm2/Vs；空穴迁移率为1.1×10‑4 cm2/Vs。在50～297 K变温中，电荷传输机制在200 K时由最邻近跃迁机制转变为可变区域内跃迁机制且电荷传输由高度无序状态主导，可广泛应用于太阳能电池和光电探测器等领域。
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公开(公告)号：CN111762809A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010562062.7
申请日：2020-06-18
Applicant: 苏州大学
IPC: C01G21/21 , C01B19/04 , B05D7/24 , B05D1/00 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种铅氧族化合物二聚体纳米晶、导电薄膜及制备方法和应用。利用铅试剂、有机酸和1-十八烯制备铅前驱体；利用二(三甲基硅烷基)氧族化合物、1-十八烯与得到的铅前驱体进行反应，对得到的溶液进行冷冻处理后，再通过后处理得到卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶。本发明提供的铅氧族化合物二聚体纳米晶在沉积薄膜过程中能使纳米晶的排列更加无序，避免晶界的形成，可以进一步避免后续配体交换过程中裂缝的形成。利用本发明提供的制备方法，可以大幅简化纳米晶太阳能电池器件的制备工艺。
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公开(公告)号：CN106449989B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201611091924.2
申请日：2016-12-01
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。在阴极基底上，室温下采用射频磁控溅射制备氧化铌薄膜形成传输电子的电子传输层；在电子传输层上制备钙钛矿吸光层，再依次制备用于传输空穴的空穴传输层和收集空穴的阳极，得到钙钛矿太阳能电池。本发明在室温条件下制备氧化铌电子传输层的方法，具有工艺简单、可控，制备的氧化铌薄膜均匀性、重复性好的特点，可实现大规模生产；同时，室温条件下利用射频磁控溅射方法制备的氧化铌薄膜作为电子传输层无需高温煅烧，使得整个钙钛矿太阳能电池的生产过程都能在低温下进行（≤100℃），尤其适用于柔性衬底。
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公开(公告)号：CN107792839A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710972823.4
申请日：2017-10-18
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B19/04 , H01L29/24 , H01L29/775 , H01L21/34 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化铅纳米棒、制备方法及在场效应晶体管中的应用。以氧化铅、反式-2-癸烯酸为原料制备铅前驱体，再经反应和后处理，得到一种硒化铅纳米棒，分子式为PbSe，表面配体为有机酸反式-2-癸烯酸，带隙为1.03电子伏特。将提供的硒化铅纳米棒应用于场效应晶体管，以无机配体四正丁基卤化铵交换硒化铅纳米棒表面的有机酸配体，其电学性能显示双极性，在真空下测得的电子迁移率是0.1 cm2/Vs；空穴迁移率为1.1×10-4 cm2/Vs。在50～297 K变温中，电荷传输机制在200 K时由最邻近跃迁机制转变为可变区域内跃迁机制且电荷传输由高度无序状态主导，可广泛应用于太阳能电池和光电探测器等领域。
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公开(公告)号：CN106058056A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610632500.6
申请日：2016-08-04
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/424 , H01L51/0036
Abstract: 本发明公开了一种有机太阳能电池活性层及其制备方法。以羧酸类衍生物作为溶剂添加剂在有机太阳能电池中的应用，属于有机光伏器件或有机半导体薄膜太阳能电池领域。在有机活性层中，通过加入少量的羧酸类衍生物，增强了活性层对可见光的吸收增强，电池的短路电流得到明显提升；同时，加入溶剂添加剂能有效的促进给体和受体材料的相分离，增强载流子的传输，提升了器件的填充因子，提升了有机太阳能电池的效率。
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