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公开(公告)号：CN119486448A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411411496.1
申请日：2024-10-10
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化铅量子点光电器件及其制备方法。光电器件的空穴传输层为三层结构，下界面修饰层为形成于P型有机聚合物层下表面的硫醇类小分子配体的硫化铅量子点薄膜，上界面修饰层为形成于P型有机聚合物层上表面的三五氟苯基硼掺杂的聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]薄膜。本发明通过硫醇类小分子修饰的PbS量子点过渡有机/无机界面，利用三五氟苯基硼掺杂的聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]作为一种消除与金电极势垒的普适性材料，使多种P型聚合物空穴传输层与金电极形成了稳定的欧姆接触，并有效阻隔了空气中的水氧对硫化铅量子点的侵蚀，显著提升了硫化铅量子点光电器件的效率和工作稳定性。
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