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公开(公告)号：CN108145965A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711400795.5
申请日：2017-12-21
Applicant: 苏州大学
IPC: B29C64/124 , B29C64/314 , B29C64/379 , B33Y10/00 , B33Y40/00 , B33Y70/00 , B29K79/00
Abstract: 本发明涉及一种激光3D打印构建三维叠层结构的方法，它包括以下步骤：(a)将葡萄糖和第一水溶性聚合物溶于水中，加热反应形成第一溶液；(b)将金属盐和第二水溶性聚合物溶于水中，超滤得第二溶液；(c)将所述第一溶液和所述第二溶液混合后，旋涂于基片上，随后置于激光直写系统中进行红外激光加热；用水除去未固化部分，在反应性气体中进行退火；(d)重复步骤(c)得三维叠层结构；所述第一水溶性聚合物和所述第二水溶性聚合物相互独立地为聚乙烯亚胺。通过使用聚乙烯亚胺作为水溶性聚合物来绑定金属离子形成水溶性金属离子前驱体；并利用葡萄糖与水溶性聚合物在红外高温下发生反应，通过激光直写系统打印所设置的图案或结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108455673A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810595576.5
申请日：2018-06-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法，它的制备包括以下步骤：（a）将过渡金属盐和强碱溶于水中，搅拌得透明澄清的前驱体溶液；所述过渡金属盐为无机钼盐或无机钨盐；所述渡金属盐和所述强碱的质量比为1~10：1；（b）将所述前驱体溶液旋涂至基底上；（c）将所述基底放在管式炉中部，取硫粉或硒粉置于所述管式炉进气端，随后对所述管式炉进行抽真空并充入惰性气体；加热使所述硫粉或硒粉升华，并使其与所述前驱体溶液进行反应、退火，自然降温即可。该方法制备得到的二维材料质量很高、具有很好的结晶性，并且其三角片的尺寸能够生长的很大；可以直接应用在半导体场效应管中，无需进行额外的转移。
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公开(公告)号：CN111029248B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201911198744.8
申请日：2019-11-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/027 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种EBL直写高精度第三代半导体的方法，包括如下步骤：(a)将金属盐和水溶性聚合物聚乙烯亚胺溶于水中，进行络合反应，经超滤得到第一溶液；(b)将麦芽糖加入第一溶液中，搅拌得到前驱体溶液；(c)将前驱体溶液旋涂于导电基底上，随后将导电基底置于EBL舱内，进行EBL直写；用水清洗导电基底，除去未固化部分，再在反应性气体中退火，得到所需要半导体的结构。本发明不仅省去了紫外光刻与反应束离子刻蚀等繁琐的工艺，还为纳米结构器件的制备节省了一定的时间；同时本发明能够实现不同半导体的图案化，其直写的微纳尺度图案能够完全显示清楚、且尺寸与预设的尺寸一致，并能够直写出最小线宽约30nm高精度的各种半导体纳米线。
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公开(公告)号：CN108455673B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810595576.5
申请日：2018-06-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法，它的制备包括以下步骤：（a）将过渡金属盐和强碱溶于水中，搅拌得透明澄清的前驱体溶液；所述过渡金属盐为无机钼盐或无机钨盐；所述渡金属盐和所述强碱的质量比为1~10：1；（b）将所述前驱体溶液旋涂至基底上；（c）将所述基底放在管式炉中部，取硫粉或硒粉置于所述管式炉进气端，随后对所述管式炉进行抽真空并充入惰性气体；加热使所述硫粉或硒粉升华，并使其与所述前驱体溶液进行反应、退火，自然降温即可。该方法制备得到的二维材料质量很高、具有很好的结晶性，并且其三角片的尺寸能够生长的很大；可以直接应用在半导体场效应管中，无需进行额外的转移。
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公开(公告)号：CN111029248A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911198744.8
申请日：2019-11-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/027 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种EBL直写高精度第三代半导体的方法，包括如下步骤：(a)将金属盐和水溶性聚合物聚乙烯亚胺溶于水中，进行络合反应，经超滤得到第一溶液；(b)将麦芽糖加入第一溶液中，搅拌得到前驱体溶液；(c)将前驱体溶液旋涂于导电基底上，随后将导电基底置于EBL舱内，进行EBL直写；用水清洗导电基底，除去未固化部分，再在反应性气体中退火，得到所需要半导体的结构。本发明不仅省去了紫外光刻与反应束离子刻蚀等繁琐的工艺，还为纳米结构器件的制备节省了一定的时间；同时本发明能够实现不同半导体的图案化，其直写的微纳尺度图案能够完全显示清楚、且尺寸与预设的尺寸一致，并能够直写出最小线宽约30nm高精度的各种半导体纳米线。
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公开(公告)号：CN108145965B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201711400795.5
申请日：2017-12-21
Applicant: 苏州大学
IPC: B29C64/124 , B29C64/314 , B29C64/379 , B33Y10/00 , B33Y40/10 , B33Y40/20 , B33Y70/00 , B29K79/00
Abstract: 本发明涉及一种激光3D打印构建三维叠层结构的方法，它包括以下步骤：(a)将葡萄糖和第一水溶性聚合物溶于水中，加热反应形成第一溶液；(b)将金属盐和第二水溶性聚合物溶于水中，超滤得第二溶液；(c)将所述第一溶液和所述第二溶液混合后，旋涂于基片上，随后置于激光直写系统中进行红外激光加热；用水除去未固化部分，在反应性气体中进行退火；(d)重复步骤(c)得三维叠层结构；所述第一水溶性聚合物和所述第二水溶性聚合物相互独立地为聚乙烯亚胺。通过使用聚乙烯亚胺作为水溶性聚合物来绑定金属离子形成水溶性金属离子前驱体；并利用葡萄糖与水溶性聚合物在红外高温下发生反应，通过激光直写系统打印所设置的图案或结构。
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