一种胶体磨机宏量制备ZIF-8材料的方法

    公开(公告)号:CN117467152A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311835044.1

    申请日:2023-12-28

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明属于金属有机框架材料领域,具体涉及一种胶体磨机宏量制备ZIF‑8材料的方法。针对现有技术晶体成核与生长过程无法分离的问题,胶体磨高速旋转在剧烈搅拌下引发晶体的爆发成核。因此,在胶体研磨过程中,可以避免同时成核和晶体生长,这有助于获得窄尺寸的晶核。本发明探讨了两种不同方法合成的ZIF‑8纳米晶体作为催化剂在诺文格尔反应中的催化性能。这些结果表明,胶体磨合成的ZIF‑8‑S纳米晶具有较小的粒径,并且胶体磨过程中的强剪切力增加了晶体的表面缺陷,从而表现出较高的催化活性。

    基于Au@CuS修饰的MOF材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119425639A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411624017.4

    申请日:2024-11-14

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了基于Au@CuS修饰的MOF材料及其制备方法与应用,本发明合成了一种合成简单、成本低且对氨气具有高选择性吸附的铜基MOF材料(Cu‑MOF),将Au@CuS与Cu‑MOF在表面活性剂的作用下进行物理复合,获得具有较强机械性能的基于Au@CuS修饰的MOF材料。本发明提供的基于Au@CuS修饰的MOF材料可作为气敏材料,用于制备QCM气体传感器,尤其是QCM型氨气传感器,并且在980nm的近红外辐照下,基于Au@CuS修饰的MOF材料作为气敏材料表现出高效的光热效应,显著提高了QCM气体传感器对氨气的灵敏度和响应速度,并大大降低了恢复时间。

    羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点及其制备和应用

    公开(公告)号:CN109705029B

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201910048805.6

    申请日:2019-01-18

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点的制备方法,包括以下步骤:将羟基被保护的羟基吡啶酮类化合物与氨基功能化碳量子点在交联剂的作用下于20‑40℃下反应,反应完全后在Pd/C催化剂的作用下,在氢气中发生还原反应,以脱掉保护基团,得到羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点,其中,羟基吡啶酮类化合物为3,4‑羟基吡啶酮和/或3,2‑羟基吡啶酮。本发明的羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点可用于检测铀酰离子,离子选择性高,响应时间短,响应信号稳定,环境友好。

    金属有机框架衍生碳材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113877542A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202111228928.1

    申请日:2021-10-21

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种金属有机框架衍生碳材料及其制备方法与应用,属于放射性气体吸附去除技术领域。本发明所述的金属有机框架衍生碳材料是将沸石咪唑框架前驱体在惰性气体环境下进行升温碳化,得到所述金属有机框架衍生碳材料。本发明所述的金属有机框架衍生碳材料继承了前驱体MOFs材料固有的网络连接,相比于传统活性炭材料,具有孔结构可调的特性,极大地提高了对放射性气体氡的吸附选择性。同时,通过合适的路径进行高温碳化,增加了材料的有效孔体积,提高了材料对氡的吸附容量,又提高了材料的吸附效率。

    羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点及其制备和应用

    公开(公告)号:CN109705029A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910048805.6

    申请日:2019-01-18

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点的制备方法,包括以下步骤:将羟基被保护的羟基吡啶酮类化合物与氨基功能化碳量子点在交联剂的作用下于20-40℃下反应,反应完全后在Pd/C催化剂的作用下,在氢气中发生还原反应,以脱掉保护基团,得到羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点,其中,羟基吡啶酮类化合物为3,4-羟基吡啶酮和/或3,2-羟基吡啶酮。本发明的羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点可用于检测铀酰离子,离子选择性高,响应时间短,响应信号稳定,环境友好。

    没食子酸基MOF气敏材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119505266A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411624019.3

    申请日:2024-11-14

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了没食子酸基MOF气敏材料及其制备方法与应用,没食子酸基MOF气敏材料的制备方法包括以下步骤:将金属盐和没食子酸溶于碱溶液中,在110‑150℃下进行反应,得到所述没食子酸基MOF气敏材料;所述金属盐选自钴、镁和镍的硝酸盐、硫酸盐和盐酸盐中的一种或几种;所述金属盐和没食子酸的摩尔比为1:(1.5‑2.5)。本发明将没食子酸基MOF气敏材料用于制备QCM气体传感器,尤其是QCM型氨气传感器,Co‑Gallate MOF基QCM气体传感器相比Mg‑Gallate MOF基QCM气体传感器和Ni‑Gallate MOF基QCM气体传感器对氨气表现出优异的选择性以及良好的灵敏度。

    基于MOF衍生的Au@CeO2材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119470571A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411624018.9

    申请日:2024-11-14

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了基于MOF衍生的Au@CeO2材料及其制备方法与应用,设计合成了一种合成简单、成本低且对H2S气体具有高选择性和快速响应的Ce基MOFs材料(Ce‑UiO‑66),将其作为前驱体,先将Au负载到Ce‑UiO‑66材料表面,再通过加热处理,将Ce‑UiO‑66转化为CeO2材料,并同时和Au的纳米颗粒紧密结合到一起,得到基于MOF衍生的Au@CeO2材料。本发明将基于MOF衍生的Au@CeO2材料作为气敏材料,用于制备气体传感器检测H2S气体,气体传感器表现出快速的响应速度以及较高的灵敏度,检测限低至5ppb。

    一种In-MOF衍生物材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118290762A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410575808.6

    申请日:2024-05-10

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明属于MOF材料制备领域,具体涉及一种In‑MOF衍生物材料及其制备方法和应用。MOFs衍生金属氧化物材料,既保留了MOFs材料的框架结构,具有很高的孔隙率和比表面积,同时MOFs衍生物材料还保持了传统金属氧化物的导电性,因此在气体传感器中有较大的应用潜力。所以,本发明以In2O3MOF衍生物材料为基础,通过氧空位调控、形貌调控、贵金属催化剂的掺杂等多种调控策略,优化了气体传感器对硫化氢气体的检测灵敏度和检测下限。

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