公开(公告)号：CN104237202B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201410479276.2

申请日：2014-09-18

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙旭辉 ,  张平平

IPC: G01N21/65 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于表面增强拉曼光谱领域，涉及一种表面增强拉曼金属修饰硅纳米阵列基底及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：步骤1）：基底为Si，分别用去离子水，无水乙醇，丙酮对基底进行超声处理，吹干；使用匀胶机在Si基底上旋涂一层光刻胶；然后在烘烤机上烘烤；步骤2）：把Si基片全曝光；步骤3）：把步骤2的Si基底进行显影；再用超纯水清洗Si，吹干后表面留有一层光刻胶的Si基底；步骤4）：把步骤3所得的表面有光刻胶的Si基底放入反应离子刻蚀机内进行刻蚀，然后取出用丙酮超声处理去掉残留的光刻胶，清洗处理，干燥，制得锥状Si阵列；步骤5）：在步骤4制得的锥状Si阵列上分别沉积Ag单层薄膜或Ag和Au的双层薄膜。

公开(公告)号：CN104020151A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410154551.3

申请日：2014-07-10

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙旭辉 ,  张平平

IPC: G01N21/65 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种表面增强拉曼检测性能的金属纳米圆盘阵列基底的制备方法，表面增强拉曼检测性能的金属纳米圆盘阵列基底制备方法步骤包括：在干净的Si基底上旋涂一层光刻胶，烘烤；在同步辐射X射线环境下（上海光源BL08U1BXIL线站提供）使用X射线干涉曝光；用显影液显影得到光刻胶的孔状阵列；用物理气相沉积法沉积金属薄膜；用丙酮去除剩余的光刻胶得到金属纳米圆盘阵列。本发明能够制备出规整的，具有均匀直径的高重复性和敏感性拉曼检测性能的金属纳米圆盘阵列，具有通过改变圆盘直径，厚度及双金属的方式来提高表面增强拉曼（SERS）的增强性能的特点。

公开(公告)号：CN103529081A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310491742.4

申请日：2013-10-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙旭辉 ,  张平平 ,  张书敏

IPC: G01N27/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C14/352 ,  B82Y15/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/087 ,  G01N27/127

Abstract: 本发明公开了一种多层金属氧化物多孔薄膜纳米气敏材料的制备方法，将微球水溶液自组装在覆盖有绝缘层的基底上，形成致密的单层阵列模板，用等离子刻蚀的方法刻蚀微球的表面，减小微球的间距，然后用物理沉积的方法沉积金属氧化物薄膜，之后用溶剂超声处理，去除模板，制备出多孔阵列金属氧化物薄膜，在空气气氛下退火处理即得到金属氧化物多孔薄膜气敏材料。本发明制备出规整的多孔阵列薄膜气敏材料，制得的多孔薄膜材料的孔径大小均一，材料的组合可控，孔径大小可控。

公开(公告)号：CN119470571A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411624018.9

申请日：2024-11-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张朵 ,  王殳凹 ,  伍伟 ,  张平平 ,  丘隽灏 ,  朱嘉驹 ,  李硕

IPC: G01N27/12 ,  C01F17/10 ,  C01F17/235

Abstract: 本发明公开了基于MOF衍生的Au@CeO2材料及其制备方法与应用，设计合成了一种合成简单、成本低且对H2S气体具有高选择性和快速响应的Ce基MOFs材料(Ce‑UiO‑66)，将其作为前驱体，先将Au负载到Ce‑UiO‑66材料表面，再通过加热处理，将Ce‑UiO‑66转化为CeO2材料，并同时和Au的纳米颗粒紧密结合到一起，得到基于MOF衍生的Au@CeO2材料。本发明将基于MOF衍生的Au@CeO2材料作为气敏材料，用于制备气体传感器检测H2S气体，气体传感器表现出快速的响应速度以及较高的灵敏度，检测限低至5ppb。

公开(公告)号：CN104237202A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410479276.2

申请日：2014-09-18

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙旭辉 ,  张平平

IPC: G01N21/65 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于表面增强拉曼光谱领域，涉及一种表面增强拉曼金属修饰硅纳米阵列基底及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：步骤1）：基底为Si，分别用去离子水，无水乙醇，丙酮对基底进行超声处理，吹干；使用匀胶机在Si基底上旋涂一层光刻胶；然后在烘烤机上烘烤；步骤2）：把Si基片全曝光；步骤3）：把步骤2的Si基底进行显影；再用超纯水清洗Si，吹干后表面留有一层光刻胶的Si基底；步骤4）：把步骤3所得的表面有光刻胶的Si基底放入反应离子刻蚀机内进行刻蚀，然后取出用丙酮超声处理去掉残留的光刻胶，清洗处理，干燥，制得锥状Si阵列；步骤5）：在步骤4制得的锥状Si阵列上分别沉积Ag单层薄膜或Ag和Au的双层薄膜。