公开(公告)号：CN116034148A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202080104225.5

申请日：2020-10-09

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 三浦穣史 ,  若林慧亮

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明在一个方式中提供一种能够兼顾研磨速度的提高与浓缩物的保存稳定性的硅基板用研磨液组合物。本发明在一个方式中涉及一种硅基板用研磨液组合物，其含有下述成分A及下述成分B，且pH值大于8.5且为14以下。成分A：二氧化硅粒子；成分B：pKa为5以上且8.5以下的含氨基的水溶性高分子。

公开(公告)号：CN104272439B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201380020648.9

申请日：2013-04-16

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 三浦穣史 ,  松井芳明 ,  加藤佑树 ,  古高佑季

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明涉及一种硅晶圆用研磨液组合物，其含有二氧化硅颗粒(成分A)、选自胺化合物及铵化合物中的至少1种以上的含氮碱性化合物(成分B)、以及包含10重量％以上的下述通式(1)所表示的结构单元I且重均分子量为50,000以上1,500,000以下的水溶性高分子化合物(成分C)，且25℃下的pH值为8.0～12.0。其中，下述通式(1)中，R1、R2分别独立表示氢、碳原子数1～8的烷基、或碳原子数1～2的羟烷基，不存在R1、R2的两者均为氢的情况。

公开(公告)号：CN116034149A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202080104227.4

申请日：2020-10-09

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 三浦穣史

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明在一个方式中提供一种调节硅基板的研磨速度与研磨后的硅基板的表面品质的方法。本发明在一个方式中是一种调节硅基板的研磨速度与研磨后的基板的表面品质的方法，其使用含有选自pKa为5以上且8.5以下的含氨基的水溶性高分子化合物(成分A)及非离子性水溶性高分子化合物(成分B)中的至少一种成分的研磨液组合物，并改变成分A与成分B的含量比，由此调节硅基板的研磨速度与研磨后的基板的表面品质。

公开(公告)号：CN104272439A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380020648.9

申请日：2013-04-16

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 三浦穣史 ,  松井芳明 ,  加藤佑树 ,  古高佑季

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明涉及一种硅晶圆用研磨液组合物，其含有二氧化硅颗粒(成分A)、选自胺化合物及铵化合物中的至少1种以上的含氮碱性化合物(成分B)、以及包含10重量％以上的下述通式(1)所表示的结构单元I且重均分子量为50,000以上1,500,000以下的水溶性高分子化合物(成分C)，且25℃下的pH值为8.0～12.0。其中，下述通式(1)中，R1、R2分别独立表示氢、碳原子数1～8的烷基、或碳原子数1～2的羟烷基，不存在R1、R2的两者均为氢的情况。