公开(公告)号：CN101168851B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200710149732.7

申请日：2007-09-05

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 土肥敬幸 ,  中原信司 ,  樱井雅哉 ,  坂井正人

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02634 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L22/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/32 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S117/902 ,  H01L2924/00

Abstract: 在{110}晶片中，可以进行100nm以下的LPD测定，防止表面粗糙度的恶化，可以判断表面状态，能够进行晶片的品质评价。本发明的在将使硅单晶的{110}面倾斜后的面作为主面的硅晶片上生长外延层的硅外延片中，生长外延层的硅晶片将使所述{110}面倾斜的倾角方位设定在从与该{110}面平行的 方位向 方向的0～45°的范围内。

公开(公告)号：CN101140868B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710148267.5

申请日：2007-09-04

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 中原信司 ,  坂井正人 ,  土肥敬幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  H01L21/304 ,  C30B33/00 ,  B28D5/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B33/005

Abstract: 本发明提供外延晶片的制造方法，其包括以下工序：在硅单晶片的主表面上使硅外延生长的工序；用特定的处理液在100℃以下的温度下处理所述晶片的主表面，将附着在所述晶片主表面的颗粒除去的同时形成规定膜厚的氧化膜的晶片平坦化前处理工序；对所述主表面进行镜面抛光的表面抛光工序。

公开(公告)号：CN101168851A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710149732.7

申请日：2007-09-05

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 土肥敬幸 ,  中原信司 ,  樱井雅哉 ,  坂井正人

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02634 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L22/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/32 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S117/902 ,  H01L2924/00

Abstract: 在{110}晶片中，可以进行100nm以下的LPD测定，防止表面粗糙度的恶化，可以判断表面状态，能够进行晶片的品质评价。本发明的在将使硅单晶的{110}面倾斜后的面作为主面的硅晶片上生长外延层的硅外延片中，生长外延层的硅晶片将使所述{110}面倾斜的倾角方位设定在从与该{110}面平行的 方位向 方向的0°～45°的范围内。

公开(公告)号：CN101140868A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710148267.5

申请日：2007-09-04

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 中原信司 ,  坂井正人 ,  土肥敬幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  H01L21/304 ,  C30B33/00 ,  B28D5/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B33/005

Abstract: 本发明提供外延晶片的制造方法，其包括以下工序：在硅单晶片的主表面上使硅外延生长的工序；用特定的处理液在100℃以下的温度下处理所述晶片的主表面，将附着在所述晶片主表面的颗粒除去的同时形成规定膜厚的氧化膜的晶片平坦化前处理工序；对所述主表面进行镜面抛光的表面抛光工序。