公开(公告)号：CN113629146B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202010473080.8

申请日：2020-05-29

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 黄雅歆 ,  郭镇铵 ,  赖柏均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种高压半导体装置以及其制作方法，其中该高压半导体装置包括一半导体基底、一栅极结构、一漂移区、一漏极区以及一隔离结构。栅极结构设置于半导体基底上。漂移区设置于半导体基底中且部分设置于栅极结构的一侧。漏极区设置于漂移区中。隔离结构至少部分设置于漂移区中，且隔离结构的一部分设置于栅极结构与漏极区之间。隔离结构的一顶部包括一平面，且隔离结构的一底部包括一曲面。

公开(公告)号：CN113629146A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202010473080.8

申请日：2020-05-29

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 黄雅歆 ,  郭镇铵 ,  赖柏均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种高压半导体装置以及其制作方法，其中该高压半导体装置包括一半导体基底、一栅极结构、一漂移区、一漏极区以及一隔离结构。栅极结构设置于半导体基底上。漂移区设置于半导体基底中且部分设置于栅极结构的一侧。漏极区设置于漂移区中。隔离结构至少部分设置于漂移区中，且隔离结构的一部分设置于栅极结构与漏极区之间。隔离结构的一顶部包括一平面，且隔离结构的一底部包括一曲面。