公开(公告)号：CN109790196A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780039312.5

申请日：2017-04-21

Applicant: 考利达基因组股份有限公司 ,  深圳华大生命科学研究院

Inventor： 李汉东 ,  斯尼泽纳·德尔马纳茨 ,  拉多吉·德尔马纳茨 ,  徐讯 ,  彭玲玲 ,  斯科特·加布伦茨

IPC: C07H15/04 ,  C07H21/04

CPC classification number: C07H15/04 ,  C07H19/10 ,  C07H19/20 ,  C07H21/04 ,  C12Q1/6869 ,  C12Q2521/101 ,  C12Q2525/101 ,  C12Q2525/186 ,  C12Q2563/107

Abstract: 提供了可逆地被封闭的核苷类似物和使用这种核苷类似物进行核酸测序的方法。

公开(公告)号：CN109790196B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN201780039312.5

申请日：2017-04-21

Applicant: 深圳华大智造科技股份有限公司 ,  深圳华大生命科学研究院

Inventor： 李汉东 ,  斯尼泽纳·德尔马纳茨 ,  拉多吉·德尔马纳茨 ,  徐讯 ,  彭玲玲 ,  斯科特·加布伦茨

IPC: C07H15/04 ,  C07H21/04

Abstract: 提供了可逆地被封闭的核苷类似物和使用这种核苷类似物进行核酸测序的方法。

公开(公告)号：CN118325713A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410336310.4

申请日：2019-01-28

Applicant: 深圳华大生命科学研究院

Inventor： 李世峰 ,  李腾跃 ,  李元 ,  王照辉 ,  江雪芹 ,  陈家诚 ,  王奥立 ,  黄扶兴 ,  宋晓刚 ,  彭玲玲 ,  李汉东 ,  章文蔚

IPC: C12M1/34 ,  C12Q1/6874 ,  B01L3/00 ,  B01J19/00 ,  C23C28/00 ,  C23C28/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/78

Abstract: 一种芯片基质、测序芯片及其制备方法，该芯片基质包括：晶圆层(111)，所述晶圆层(111)上具有均匀分布的切割线；第一氧化硅层(112)，所述第一氧化硅层(112)由氧化硅构成，形成在所述晶圆层(111)的上表面；过渡金属氧化物层(113)，所述过渡金属氧化物层(113)由过渡金属氧化物构成，形成在所述第一氧化硅层(112)的上表面。该芯片基质具有耐高温、耐高湿度等苛刻环境的特点，同时，通过改变含有待测序序列溶液的pH及表面活性剂等成分，可以使得芯片基质表面功能区特异性吸附待测序序列。

公开(公告)号：CN113396229B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201980090338.1

申请日：2019-01-28

Applicant: 深圳华大生命科学研究院

Inventor： 李世峰 ,  李腾跃 ,  李元 ,  王照辉 ,  江雪芹 ,  陈家诚 ,  王奥立 ,  黄扶兴 ,  宋晓刚 ,  彭玲玲 ,  李汉东 ,  章文蔚

IPC: C12Q1/6876 ,  C12Q1/6869

Abstract: 一种芯片基质、测序芯片及其制备方法，该芯片基质包括：晶圆层(111)，所述晶圆层(111)上具有均匀分布的切割线；第一氧化硅层(112)，所述第一氧化硅层(112)由氧化硅构成，形成在所述晶圆层(111)的上表面；过渡金属氧化物层(113)，所述过渡金属氧化物层(113)由过渡金属氧化物构成，形成在所述第一氧化硅层(112)的上表面。该芯片基质具有耐高温、耐高湿度等苛刻环境的特点，同时，通过改变含有待测序序列溶液的pH及表面活性剂等成分，可以使得芯片基质表面功能区特异性吸附待测序序列。

公开(公告)号：CN113396229A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201980090338.1

申请日：2019-01-28

Applicant: 深圳华大生命科学研究院

Inventor： 李世峰 ,  李腾跃 ,  李元 ,  王照辉 ,  江雪芹 ,  陈家诚 ,  王奥立 ,  黄扶兴 ,  宋晓刚 ,  彭玲玲 ,  李汉东 ,  章文蔚

IPC: C12Q1/6876 ,  C12Q1/6869

Abstract: 一种芯片基质、测序芯片及其制备方法，该芯片基质包括：晶圆层(111)，所述晶圆层(111)上具有均匀分布的切割线；第一氧化硅层(112)，所述第一氧化硅层(112)由氧化硅构成，形成在所述晶圆层(111)的上表面；过渡金属氧化物层(113)，所述过渡金属氧化物层(113)由过渡金属氧化物构成，形成在所述第一氧化硅层(112)的上表面。该芯片基质具有耐高温、耐高湿度等苛刻环境的特点，同时，通过改变含有待测序序列溶液的pH及表面活性剂等成分，可以使得芯片基质表面功能区特异性吸附待测序序列。