微流控装置及微流控检测装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119948343A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202280100231.2

    申请日:2022-12-23

    Abstract: 一种微流控装置(100)及微流控检测装置(1000),微流控装置(100)包括本体(110)及流道切换组件(120);本体(110)设置有第二流道(P2)和密封腔室(R),第二流道(P2)包括第二流道第一支路(P21)、第二流道第二支路(P22)及第二流道主干路(P23),第二流道第一支路(P21)和第二流道第二支路(P22)交汇于第二流道主干路(P23),密封腔室(R)位于第二流道第一支路(P21)的下方,密封腔室(R)中的流体与第二流道第一支路(P21)中的流体能够进行离子传递;流道切换组件(120)转动连接于本体(110),以用于使第二流道主干路(P23)中的流体流向第二流道第一支路(P21)和/或第二流道第二支路(P22)。基于微流控装置(100)装配而成的微流控检测装置(1000)能够根据需求选择不同支路(P21,P22),以适配不同生化反应阶段所需,应用场景更广。

    微流控检测装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119895269A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202280100232.7

    申请日:2022-12-23

    Abstract: 一种微流控检测装置(1000),微流控检测装置(1000)包括微流控装置(100)及感测装置(200);微流控检测装置(1000)设置有第一模式和第二模式,微流控装置(100)包括本体(110)及流道切换组件(120),本体(110)设置有多个流道,流道切换组件(120)转动连接于本体(110)并用于将不同的流道(P1,P2,P3,P4)连通,以使微流控检测装置(1000)在第一模式与第二模式之间切换;多个流道包括第二流道(P2),感测装置(200)设置于第二流道(P2)处并连接于本体(110),且感测装置(200)与本体(110)形成第二流道(P2)的对应部分一起形成感测区(A1)。通过流道切换组件(120)切换不同的流道(P1,P2,P3,P4)连通,使得微流控检测装置(1000)处于不同状态适配不同模式,从而兼顾负压预封装工艺与用户注液的情况,满足生产与用户使用的共同需求,应用场景更广。

    MMLV逆转录酶突变体
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119855903A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202280099724.9

    申请日:2022-11-04

    Abstract: 本发明公开了MMLV逆转录酶突变体。本发明提供了MMLV逆转录酶突变体,其与野生型MMLV逆转录酶氨基酸序列相比,所述突变体在62位点等多个位点发生突变,突变体具有模板转换性能提高、非模板碱基添加性能提高或耐热性提高的特点。本发明筛选出了相较于野生型模板转换性能提高的MMLV逆转录酶突变体,其还具有提高的非模板碱基添加性能或热稳定性;筛选出的突变体适用于采用了基于模板转换的文库制备方法的RNA测序中如Smart‑Seq、纳米孔测序,以及5'RACE等,也可应用于RT‑qPCR等中。

    有机硅的深反应离子刻蚀方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119698388A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202380059439.9

    申请日:2023-03-29

    Abstract: 一种有机硅的深反应离子刻蚀方法,包括:S110,提供一有机硅基底,在基底表面形成一图形化的掩膜层;S120,将形成有掩膜层的有机硅基底放入刻蚀系统中,设置刻蚀参数,通入刻蚀气体对有机硅基底进行刻蚀;S130,去除掩膜层,得到离子刻蚀的有机硅材料。通过刻蚀气体组合的选择以及精准控制刻蚀气体的流量,可以得到远高于使用现有手段进行刻蚀的精度、刻蚀深宽比以及刻蚀速度。

    一种有机硅复合结构、制备方法及其微流道结构

    公开(公告)号:CN119677632A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202380059441.6

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明提供了一种有机硅复合结构、制备方法及其微流道结构,该有机硅复合结构包括非硅类基底层、中间层和有机硅层;中间层的两个表面分别与非硅类基底层和有机硅层键合;中间层为无机硅层。通过中间层分别键合于非硅类基底层和有机硅层,实现非硅类基底层和有机硅层之间的键合;同时,由于键合过程未使用高温的有机试剂浸泡非硅类基底层,从而保持了非硅类基底层的材料力学性能与表面性质的稳定性,而增加的中间层基本不会影响基材的材料力学性质;制作过程中所用设备为半导体器件生产洁净间内的常用设备,操作简单直接,成功率高。

    时空转录组测序方法、构建测序文库方法和基因测序系统

    公开(公告)号:CN119487209A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202280097967.9

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种时空转录组测序方法、构建测序文库方法和基因测序系统。本发明的时空转录组测序方法包括以下步骤:1)以探针序列3′端与模板RNA 3′端互补结合进行逆转录,并利用逆转录酶在所生成cDNA的末端添加模板转换寡核苷酸序列,所述模板转换寡核苷酸序列与所述探针序列5′端的第一接头序列不同;2)利用所述第一接头序列和所述模板转换寡核苷酸序列对所述cDNA进行扩增;3)对步骤2)扩增的所述cDNA进行测序。利用本发明的方法可以缩短时空转录组测序的时间,并且可以实现时空转录组的5′端测序。

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