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公开(公告)号：CN115148862A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210326586.5
申请日：2022-03-30
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
Abstract: 本申请提供一种半导体发光装置及其制造方法，所述方法包含形成具有侧壁P‑N接面的多个发光二极管结构于一成长基板上，及形成一隔离层于发光二极管结构上，LED结构于所述外延结构与成长基板的交叉处具有转角。此方法亦包含形成一可刻蚀的覆盖通道层于隔离层上，形成一图案化保护层于覆盖通道层上，使用一第一刻蚀工艺形成刻蚀通道于覆盖通道层中，及通过使用一第二刻蚀工艺来刻蚀隔离层以移除隔离层的所述转角。在第二刻蚀工艺以后，隔离层覆盖所述侧壁P‑N接面。此方法亦可包含接合成长基板至一载体，及使用一激光剥离工艺将成长基板与所述发光二极管结构分离。
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公开(公告)号：CN114616730A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080061288.7
申请日：2020-08-20
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
Abstract: 一种发光二极管LED晶粒(32)的制造方法包含下述步骤：提供一基板(30)，及形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构(32)于基板(30)上。制造方法亦包含下述步骤：提供一接收板件(42)，其具有一弹性体聚合物层(44)；安装基板(30)与接收板件(42)，以与由弹性体聚合物层(44)施加的一粘着力呈物理接触；及执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束(40)通过基板(30)而到达位于与基板(30)连接的一接口的半导体层(50)，以剥离此些半导体结构(32)至弹性体聚合物层(44)之上。在LLO工艺期间，弹性体聚合物层(44)作为一冲击吸收器以减少动量移转，并作为一粘着表面以将此些半导体结构(32)固持在接收板件(42)上的一定位置。
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公开(公告)号：CN101228640B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200680002125.1
申请日：2006-01-09
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L29/26 , H01L21/00 , H01L31/12 , H01L23/495
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/4918 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014
Abstract: 一种垂直型发光二极管(LED)包含：金属基板；连接于该金属基板的p型电极；连接于该p型电极的p型接点(面)，该p型接点(面)包含反光器；连接于该p型电极的p型GaN部分；连接于该p型GaN部分的活性区域；连接于该活性区域的n型GaN部分，该n型GaN部分具有一光滑及平坦的表面；以及涂布于该n型GaN的该光滑及平坦的表面上的荧光体层。
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公开(公告)号：CN101103499A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200680002143.X
申请日：2006-01-09
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
CPC classification number: B23K26/40 , H01L33/0095
Abstract: 一种在金属基板上制造垂直式LED(发光二极管)阵列的系统与方法；评估该LED阵列的缺陷；破坏一个或多个有缺陷的LEDs；形成适合晶圆级封装的仅具良品LEDs的LED阵列。
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公开(公告)号：CN101103439A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200680002142.5
申请日：2006-01-09
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095
Abstract: 本发明披露一种半导体发光二极管(LED)装置的制造系统与方法，其通过在LED装置上形成一n型氮化镓(n-GaN)层制造而成；以及使n-GaN层的表面粗糙化以自LED装置内部取出光。
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公开(公告)号：CN101103438A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200680002141.0
申请日：2006-01-10
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了半导体垂直发光二极管(Vertical Light Emitting Diode，VLED)器件的制造方法，所述器件在其n型掺杂层与p型掺杂层之间设有活化层；以及在所述VLED器件的n型掺杂层表面其上固定有多个球体。
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公开(公告)号：CN101099223B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200580046415.1
申请日：2005-12-21
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
Inventor： 段忠
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/647
Abstract: 一种发光二极管的制造系统与方法，包括：在承载衬底(carrier substrate)上形成多层磊晶结构；在所述多层磊晶结构上沉积至少一层金属层；移除所述承载衬底。
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公开(公告)号：CN101103499B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200680002143.X
申请日：2006-01-09
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: B23K26/40 , H01L33/0095
Abstract: 一种在金属基板上制造垂直式LED(发光二极管)阵列的系统与方法；评估该LED阵列的缺陷；破坏一个或多个有缺陷的LEDs；形成适合晶圆级封装的仅具良品LEDs的LED阵列。
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公开(公告)号：CN101103438B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200680002141.0
申请日：2006-01-10
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了半导体垂直发光二极管(Vertical Light EmittingDiode，VLED)器件的制造方法，所述器件在其n型掺杂层与p型掺杂层之间设有活化层；以及在所述VLED器件的n型掺杂层表面其上固定有多个球体。
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公开(公告)号：CN100487890C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200680002135.5
申请日：2006-01-09
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
IPC: H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L21/58
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L25/0753 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光二极管的制造方法，包括：提供基板；在基板上形成一多层磊晶结构；利用电化学沉积，在多层磊晶结构上沉积一或多层金属层；利用蚀刻定义出一或多个台面；形成一或多层非导电层；移除一部分的非导电层；沉积至少一或多层金属层；直接在非导电层上方所沉积的金属层中形成一个或多个热量移除结构；以及移除基板；其中热量移除结构的形貌表面增加因子不小于1.1。
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