公开(公告)号：CN114616730A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080061288.7

申请日：2020-08-20

Applicant: 美商旭明国际股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 朱振甫 ,  詹士凯 ,  施逸丰 ,  段大卫 ,  段忠 ,  小川敬典 ,  大竹滉平 ,  近藤和纪 ,  大堀敬司 ,  北川太一 ,  松本展明 ,  小材利之 ,  上田修平

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

Abstract: 一种发光二极管LED晶粒(32)的制造方法包含下述步骤：提供一基板(30)，及形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构(32)于基板(30)上。制造方法亦包含下述步骤：提供一接收板件(42)，其具有一弹性体聚合物层(44)；安装基板(30)与接收板件(42)，以与由弹性体聚合物层(44)施加的一粘着力呈物理接触；及执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束(40)通过基板(30)而到达位于与基板(30)连接的一接口的半导体层(50)，以剥离此些半导体结构(32)至弹性体聚合物层(44)之上。在LLO工艺期间，弹性体聚合物层(44)作为一冲击吸收器以减少动量移转，并作为一粘着表面以将此些半导体结构(32)固持在接收板件(42)上的一定位置。

公开(公告)号：CN115148862A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210326586.5

申请日：2022-03-30

Applicant: 美商旭明国际股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 朱振甫 ,  詹士凯 ,  施逸丰 ,  段忠 ,  段大卫 ,  小川敬典 ,  近藤和纪 ,  小材利之 ,  松本展明 ,  北川太一

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44

Abstract: 本申请提供一种半导体发光装置及其制造方法，所述方法包含形成具有侧壁P‑N接面的多个发光二极管结构于一成长基板上，及形成一隔离层于发光二极管结构上，LED结构于所述外延结构与成长基板的交叉处具有转角。此方法亦包含形成一可刻蚀的覆盖通道层于隔离层上，形成一图案化保护层于覆盖通道层上，使用一第一刻蚀工艺形成刻蚀通道于覆盖通道层中，及通过使用一第二刻蚀工艺来刻蚀隔离层以移除隔离层的所述转角。在第二刻蚀工艺以后，隔离层覆盖所述侧壁P‑N接面。此方法亦可包含接合成长基板至一载体，及使用一激光剥离工艺将成长基板与所述发光二极管结构分离。