公开(公告)号：CN104335335B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201380027208.6

申请日：2013-04-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 孙洋洋 ,  兰德尔·S·帕克 ,  杰斯皮德·S·甘德席 ,  李劲

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一些实施例包含半导体构造。所述构造具有延伸穿过半导体裸片的导电柱。所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面。光敏材料在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面。导电材料直接抵靠所述柱的所述上部表面。所述导电材料被配置为所述柱上方的帽。所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘。所述边缘的整体在所述光敏材料正上方。一些实施例包含形成半导体构造的方法，所述半导体构造具有邻近穿晶片互连件的光敏材料，且具有在所述互连件的上部表面上方且直接抵靠所述上部表面并且直接抵靠所述光敏材料的上部表面的导电材料帽。

公开(公告)号：CN109037180A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810310482.9

申请日：2013-04-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 孙泱泱 ,  兰德尔·S·帕克 ,  杰斯皮德·S·甘德席 ,  李劲

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体构造及形成半导体构造的方法。一些实施例包含半导体构造。所述构造具有延伸穿过半导体裸片的导电柱。所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面。光敏材料在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面。导电材料直接抵靠所述柱的所述上部表面。所述导电材料被配置为所述柱上方的帽。所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘。所述边缘的整体在所述光敏材料正上方。一些实施例包含形成半导体构造的方法，所述半导体构造具有邻近穿晶片互连件的光敏材料，且具有在所述互连件的上部表面上方且直接抵靠所述上部表面并且直接抵靠所述光敏材料的上部表面的导电材料帽。

公开(公告)号：CN104335335A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380027208.6

申请日：2013-04-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 孙洋洋 ,  兰德尔·S·帕克 ,  杰斯皮德·S·甘德席 ,  李劲

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一些实施例包含半导体构造。所述构造具有延伸穿过半导体裸片的导电柱。所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面。光敏材料在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面。导电材料直接抵靠所述柱的所述上部表面。所述导电材料被配置为所述柱上方的帽。所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘。所述边缘的整体在所述光敏材料正上方。一些实施例包含形成半导体构造的方法，所述半导体构造具有邻近穿晶片互连件的光敏材料，且具有在所述互连件的上部表面上方且直接抵靠所述上部表面并且直接抵靠所述光敏材料的上部表面的导电材料帽。