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公开(公告)号:CN109209587B
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN201810697882.X
申请日:2018-06-29
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于校准在供送泵和配量阀之间的SCR系统的压力传感器的方法,在所述方法中,所述供送泵在所述SCR系统的关断阶段内被关断,并且至少在所述关断阶段的区段期间检测通过所述压力传感器测量的压力(pm),在所述区段中关断所述供送泵,并且通过使用所测量的压力(pm)作为用于压力传感器的参考压力来校准所述压力传感器。
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公开(公告)号:CN109209587A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810697882.X
申请日:2018-06-29
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01L27/002 , F01N3/2066 , F01N11/00 , F01N11/002 , F01N2550/05 , F01N2610/02 , F01N2610/144 , F01N2610/148 , F01N2900/12 , F01N2900/1808 , F01N3/208
Abstract: 本发明涉及一种用于校准在供送泵和配量阀之间的SCR系统的压力传感器的方法,在所述方法中,所述供送泵在所述SCR系统的关断阶段内被关断,并且至少在所述关断阶段的区段期间检测通过所述压力传感器测量的压力(pm),在所述区段中关断所述供送泵,并且通过使用所测量的压力(pm)作为用于压力传感器的参考压力来校准所述压力传感器。
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公开(公告)号:CN107524505B
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN201710448162.5
申请日:2017-06-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于诊断试剂配给系统(10)的方法,所述试剂配给系统将试剂配给到内燃机(14)的废气道(12)中,其中,所述试剂由往复活塞泵(32)带到运行压力(34)上,其中,检测用于由往复活塞泵(32)输送的试剂量(72)的量度(76、78),其中,借助配给阀(22)预先给定配给率额定值(24),配给阀利用具有打开阶段(60)和闭合阶段(62)的配给阀‑操控信号(26)来操控。所述方法的特征在于,作为用于被输送的试剂量(72)的量度(76、78),仅仅在配给阀(26)的闭合阶段(62)期间形成缓慢和快速追踪的平均值(76、78),获取平均值(76、78)之间的差值(82),并且在差值(82)超过差值‑阈值(84)时,提供故障信号(86)。
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公开(公告)号:CN107524505A
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201710448162.5
申请日:2017-06-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: F01N3/10 , F01N3/2066 , F01N11/00 , F01N2610/02 , F01N2610/144 , F01N2900/1822 , Y02T10/47 , F01N2570/14 , F01N2900/16
Abstract: 本发明涉及一种用于诊断试剂配给系统(10)的方法,所述试剂配给系统将试剂配给到内燃机(14)的废气道(12)中,其中,所述试剂由往复活塞泵(32)带到运行压力(34)上,其中,检测用于由往复活塞泵(32)输送的试剂量(72)的量度(76、78),其中,借助配给阀(22)预先给定配给率额定值(24),配给阀利用具有打开阶段(60)和闭合阶段(62)的配给阀-操控信号(26)来操控。所述方法的特征在于,作为用于被输送的试剂量(72)的量度(76、78),仅仅在配给阀(26)的闭合阶段(62)期间形成缓慢和快速追踪的平均值(76、78),获取平均值(76、78)之间的差值(82),并且在差值(82)超过差值-阈值(84)时,提供故障信号(86)。
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公开(公告)号:CN107112202A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201580074163.7
申请日:2015-11-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02639 , B81C1/00373 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02527 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及一种用于生成微机电或半导体结构的方法,所述方法具有如下步骤:‑提供原始结构,所述原始结构的表面至少具有由二氧化硅组成的部分,‑提供一种原材料或者多种原材料的混合物,所述原材料在LPCVD工艺中是由碳、硅和氯构成的混合物,‑将所述原始结构以及所述一种原材料或者原材料的混合物引入到所述LPCVD工艺中,并且借此‑使碳层沉积在所述原始结构的由二氧化硅组成的部分上;以及本发明涉及一种微机电或半导体结构,所述微机电或半导体结构根据该方法来制造。
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