公开(公告)号：CN107112202A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580074163.7

申请日：2015-11-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F.霍伊克 ,  S.纳格尔 ,  F.罗尔芬

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02639 ,  B81C1/00373 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及一种用于生成微机电或半导体结构的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供原始结构，所述原始结构的表面至少具有由二氧化硅组成的部分，‑提供一种原材料或者多种原材料的混合物，所述原材料在LPCVD工艺中是由碳、硅和氯构成的混合物，‑将所述原始结构以及所述一种原材料或者原材料的混合物引入到所述LPCVD工艺中，并且借此‑使碳层沉积在所述原始结构的由二氧化硅组成的部分上；以及本发明涉及一种微机电或半导体结构，所述微机电或半导体结构根据该方法来制造。