公开(公告)号：CN104465316A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410480442.0

申请日：2014-09-19

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： O.D.科勒 ,  J.霍姆特 ,  M.里希特

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01K7/01 ,  G01K2217/00 ,  G01R31/2619 ,  G01R31/2628 ,  H01L23/345 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于确定半导体器件的热阻抗的方法，其中给所述半导体器件通加热电流（101、201），确定所述半导体器件上的损耗功率，检测所述半导体器件上的依赖于半导体器件的温度的电压降（103、205），由所检测的电压降将半导体器件关于时间的温度作为加热曲线来确定（104、207）并且将所述半导体器件的热阻抗作为所确定的温度和所确定的损耗功率的商来确定（106、208）。