公开(公告)号：CN117917296A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311345152.0

申请日：2023-10-17

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金泰信 ,  崔基熏 ,  金泰熙 ,  李相建 ,  成进荣 ,  李章晋

IPC: B23K26/362 ,  B23K26/70 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  B23K26/60 ,  B23K26/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明构思的实施例提供了一种基板处理设备和基板处理方法，其使得即使化学物质的晃动角因振动或气流而偏离允许范围，激光的照射区域也不偏离目标区域。本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：基板支撑单元，其配置成支撑其上涂覆有化学物质的基板；激光产生单元，其配置成向所述基板照射激光；以及光传输器，其沿着所述激光照射的路径定位。

公开(公告)号：CN119517788A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411107471.2

申请日：2024-08-13

Applicant: 细美事有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 成进荣 ,  崔基熏 ,  吴承彦 ,  朴永镐 ,  柳相铉 ,  李章晋 ,  尹铉 ,  李相建 ,  赵裕珍 ,  黄浩钟 ,  朴钟主 ,  吴钟根 ,  金容宇

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种控制设备以及一种包括该控制设备的衬底处理装置。该衬底处理装置包括：支撑单元，包括转动头，并且被配置为支撑并旋转衬底；喷洒单元，被配置为将处理液喷洒到衬底上；校正单元，在摆臂中，该校正单元被配置为当处理液被喷洒到衬底上时移动到衬底上的目标点并且照射光束；以及控制单元，被配置为计算目标点，其中，控制单元被配置为转换与第一坐标系相关联的图像坐标，并且然后通过将与第一坐标系相关联的图像坐标转换为与第二坐标系相关联的图像坐标来计算目标点，并且第二坐标系基于转动头和摆臂的旋转角度。

公开(公告)号：CN115083955A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210239103.8

申请日：2022-03-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  元俊皓 ,  金旻祐 ,  崔基熏 ,  金应秀 ,  金泰熙 ,  许弼覠 ,  李章晋 ,  成进荣

IPC: H01L21/67 ,  F26B21/10 ,  F26B21/14

Abstract: 本发明涉及用于处理基板的方法及设备。本发明构思提供一种用于处理基板的方法。用于处理基板的方法包含：加压步骤，用于在将基板放入内部空间之后，通过向内部空间供应处理流体来增大腔室的内部空间的压力；流动步骤，用于通过将处理流体供应给内部空间及从内部空间排放处理流体的组合来产生处理流体的流动；及减压步骤，通过从内部空间排放处理流体来降低内部空间的压力，且加压步骤包含：底面供应工艺，通过将处理流体供应给被放入内部空间中的基板的背面来增大内部空间的压力；及顶面供应工艺，通过向放入到内部空间中的基板的顶面供应处理流体来增大内部空间的压力。

公开(公告)号：CN119673804A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411242567.X

申请日：2024-09-05

Applicant: 细美事有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 成进荣 ,  崔基熏 ,  吴承彦 ,  朴永镐 ,  柳相铉 ,  李章晋 ,  尹铉 ,  李相建 ,  赵裕珍 ,  黄浩钟 ,  朴钟主 ,  吴钟根 ,  金容宇

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种衬底处理装置，其包括：支撑单元，包括转动卡盘以及在转动卡盘上的定心夹具，转动卡盘被配置为支撑并旋转衬底；喷洒单元，被配置为将处理液喷洒到衬底上；摆臂，包括校正单元，该校正单元包括传感器和发射器，摆臂被配置为移动使得校正单元移动到衬底上的目标点，并且发射器被配置为朝向衬底照射光束；以及控制器，被配置为：控制转动卡盘和摆臂；并且基于通过传感器获得的与定心夹具有关的信息确定摆臂的移动轨迹是否与转动卡盘的旋转中心对准。

公开(公告)号：CN117995654A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311473439.1

申请日：2023-11-07

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李相建 ,  崔基熏 ,  尹铉 ,  吴承彦 ,  成进荣 ,  李章晋 ,  金泰信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明构思提供一种基板处理方法。所述基板处理方法包括：将液体供应到基板；以及在供应所述液体之后对所述基板进行加热，并且其中供应所述液体包括：将第一液体供应到所述基板；以及将不同于所述第一液体的第二液体供应到被供以所述第一液体的基板，并且其中将所述第二液体作为测试供应到所述基板，并且测量所供应的所述第二液体与所述基板之间的接触角以确定所述基板的亲水化程度，并且在执行供应所述第二液体之前，基于所确定的所述基板的所述亲水化程度来确定供应到所述基板的所述第二液体的供应机制。

公开(公告)号：CN116266036A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211545329.7

申请日：2022-12-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 辛承敃 ,  朴相真 ,  崔海圆 ,  李章晋 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  克里科里安·安东 ,  元俊皓 ,  成进荣 ,  许弼覠

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了一种用于处理衬底的装置和方法。该装置包括：至少一个第一工艺室，被配置为将显影剂供应到衬底上；至少一个第二工艺室，被配置为使用超临界流体处理衬底；传送室，被配置为将衬底从至少一个第一工艺室传送到至少一个第二工艺室，同时在至少一个第一工艺室中供应的显影剂残留在衬底上；以及温湿度控制系统，被配置为通过将恒温恒湿的第一气体供应到传送室中来管理传送室的温度和湿度。