基板加工装置和基板加工方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120033112A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202411691028.4

    申请日:2024-11-25

    Abstract: 本发明公开基板加工装置和基板加工方法,该装置包括:包括用于加工基板的加工空间的加工容器;设置在加工空间中并用于支承基板的支承单元;包括用于将处理溶液供应到支承在支承单元上的基板以加工基板的处理溶液喷嘴、第一喷嘴和第二喷嘴的液体排出单元;以及控制器,其中,控制器控制支承单元和液体排出单元使得顺序地执行:将处理溶液供应到基板以加工基板的基板加工操作;在基板加工操作之后从加工容器卸载基板的基板卸载操作;以及在基板卸载操作之后清洁加工容器的容器清洁操作,并且在容器清洁操作中,通过将清洁溶液从第一喷嘴排出到支承单元来执行初次清洁,并且然后通过将抗静电液体从第二喷嘴排出到支承单元或加工容器来执行二次清洁。

    基板处理装置及方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114695176A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202111103630.8

    申请日:2021-09-18

    Abstract: 公开了节约药液的基板处理装置及方法。该装置包括:安置基板并且能够旋转的支承模块、围绕支承模块并且包括第一碗状件和布置在第一碗状件内侧的第二碗状件的壳体、向基板喷出第一药液的第一药液供应模块、以及向基板喷出与第一药液不同的第二药液的第二药液供应模块,其中,第一碗状件对应基板,并且支承模块以第一速度旋转的同时,第一药液供应模块供应第一药液,第二碗状件对应基板,并且支承模块以小于等于第一速度的第二速度旋转的同时,第二药液供应模块以第一流量供应第二药液,且第二碗状件对应基板,并且支承模块以小于第二速度的第三速度旋转的同时,第二药液供应模块不供应第二药液,或者以小于第一流量的第二流量供应第二药液。

    基板处理装置和液体供应方法

    公开(公告)号:CN113555299A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110449834.0

    申请日:2021-04-25

    Abstract: 本发明涉及基板处理装置和液体供应方法。本发明构思提供基板处理装置。在实施方式中,基板处理装置包括:壳体,该壳体具有用于在该壳体的内部中处理基板的处理空间;支承单元,该支承单元在该处理空间中支承该基板;喷嘴,该喷嘴将液体供应到位于该支承单元上的基板;液体供应单元,该液体供应单元将液体供应到该喷嘴;以及控制器,该控制器控制该液体供应单元,该液体供应单元包括:罐,该罐具有用于存储液体的内部空间;以及第一循环管线,该第一循环管线使存储在内部空间中的液体循环,第一加热器安装在该第一循环管线中,并且该控制器控制第一加热器,使得该第一加热器将液体加热到第一温度,在该第一温度下在液体的内部中的颗粒不被洗脱。

    衬底处理设备和衬底处理方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120048732A

    公开(公告)日:2025-05-27

    申请号:CN202411695776.X

    申请日:2024-11-25

    Abstract: 公开了一种衬底处理方法,所述方法包括:将衬底装载到位于腔室的处理空间中的支撑单元上,使得所述衬底的图案化面朝下;以及使装载到所述支撑单元上的所述衬底旋转,将用于蚀刻在所述图案化面上形成的薄膜的蚀刻剂排放到所述衬底的所述图案化面上,并且将加热流体排放到所述衬底的非图案化面上。

    基板处理装置和液体供应方法

    公开(公告)号:CN113555299B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202110449834.0

    申请日:2021-04-25

    Abstract: 本发明涉及基板处理装置和液体供应方法。本发明构思提供基板处理装置。在实施方式中,基板处理装置包括:壳体,该壳体具有用于在该壳体的内部中处理基板的处理空间;支承单元,该支承单元在该处理空间中支承该基板;喷嘴,该喷嘴将液体供应到位于该支承单元上的基板;液体供应单元,该液体供应单元将液体供应到该喷嘴;以及控制器,该控制器控制该液体供应单元,该液体供应单元包括:罐,该罐具有用于存储液体的内部空间;以及第一循环管线,该第一循环管线使存储在内部空间中的液体循环,第一加热器安装在该第一循环管线中,并且该控制器控制第一加热器,使得该第一加热器将液体加热到第一温度,在该第一温度下在液体的内部中的颗粒不被洗脱。

    用于处理基板的装置和方法

    公开(公告)号:CN111508863B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN201911239645.X

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明构思提供了一种用于去除在基板上形成的膜的装置和方法。一种用于处理基板的方法包括将有机溶剂分配到基板上以去除基板上的光致抗蚀剂膜的一次溶剂分配步骤,以及在一次溶剂分配步骤之后将包含臭氧的液体分配到基板上以去除基板上的有机残留物的臭氧分配步骤。

    用于处理基板的装置和方法

    公开(公告)号:CN111508863A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN201911239645.X

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明构思提供了一种用于去除在基板上形成的膜的装置和方法。一种用于处理基板的方法包括将有机溶剂分配到基板上以去除基板上的光致抗蚀剂膜的一次溶剂分配步骤,以及在一次溶剂分配步骤之后将包含臭氧的液体分配到基板上以去除基板上的有机残留物的臭氧分配步骤。

    基板处理设备和基板处理方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119517789A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411111722.4

    申请日:2024-08-14

    Inventor: 金珉贞 崔文植

    Abstract: 公开了一种基板处理设备,所述基板处理设备包括:支撑单元,所述支撑单元用于支撑基板并且使基板旋转;溶液排放单元,所述溶液排放单元用于将包括第一材料和第二材料的处理溶液排放到基板上,以去除基板上的膜;以及控制器,所述控制器用于控制溶液排放单元,其中当溶液排放单元将处理溶液排放到基板上的第一位置和第二位置时,控制器将排放到第一位置的第一材料的氢离子浓度设定为不同于排放到第二位置的第二材料的氢离子浓度,并且第一位置是基板的中心或者位于比第二位置更靠近基板的中心的位置。

    处理液供应单元、基板处理装置以及基板处理设备

    公开(公告)号:CN117594474A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202211722089.3

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明涉及能够有效去除处理液中的污染物的处理液供应单元、基板处理装置以及基板处理设备。处理液供应单元包括:混合部,用于混合去离子水和二氧化碳;第一供应部,向所述混合部供应所述去离子水;第二供应部,向所述混合部供应所述二氧化碳;以及过滤器部件,用于去除通过所述混合部混合的二氧化碳水中的杂质,所述过滤器部件配置于从所述混合部向所述基板上传送所述二氧化碳水的传送管线中,所述传送管线包括所述二氧化碳水以第一流量流动的区间即第一区间和所述二氧化碳水以比所述第一流量大的第二流量流动的区间即第二区间,所述过滤器部件配置于所述第一区间。

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