用于处理基板的装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114256050B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202111115463.9

    申请日:2021-09-23

    Inventor: 孙德铉

    Abstract: 本发明涉及一种用于处理基板的装置,该装置包括处理基板的工艺腔室、容纳待传输至工艺腔室中的环状构件的缓冲模块、以及具有内部空间的装载锁定腔室。缓冲模块包括缓冲腔室,缓冲腔室具有缓冲空间,环状构件容纳在该缓冲空间中;支承架;该支承架支承缓冲空间中的环状构件;以及移动支承架的驱动构件。

    基板处理装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111081519B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN201910986841.7

    申请日:2019-10-17

    Inventor: 李在京 孙德铉

    Abstract: 本发明的实施例的基板处理装置可以包括:静电卡盘,布置于底座上,并支承基板;聚焦环单元,包括第一环及第二环,第一环和第二环构成为以环绕静电卡盘的外周的方式布置于底座上并构成为能够分别上下相对移动;以及聚焦环驱动单元,构成为为了调节第一环的顶面相对于基板的顶面的位置而使第一环上升,并构成为为了更换第一环及第二环而使第一环和第二环一起上升。

    环载体和基板处理系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115360074A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202210539536.5

    申请日:2022-05-17

    Inventor: 郑纹基 孙德铉

    Abstract: 本公开提供了一种环载体和基板处理系统。具体地,本公开提供了一种用于传输环构件的环载体。环载体包括:本体,该本体具有板形状;以及引导部,该引导部从本体的上表面突出以面向环构件的内周边,并且在对准环载体时使用的对准孔形成在本体中、以穿过本体。

    基板处理装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111244000A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201911099161.X

    申请日:2019-11-12

    Inventor: 孙德铉 金炯俊

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。基板处理装置包括:移送部,移送透明方形基板;基板支撑部,支撑所述被移送的透明方形基板;光产生部,向移动中的所述透明方形基板照射相互不同的两束光,并检测被照射的光;及控制装置,参照所述检测的光,判断所述透明方形基板的姿态,并控制所述移送部,以使按提前设定的基本姿态而将所述透明方形基板安装在所述基板支撑部,其中,所述控制装置利用在所述透明方形基板的边缘中未透过所述相互不同的两束光中的第一光的时刻及为透过所述相互不同的两束光中的第二光的时刻之间的时间差,而判断所述基本姿态对应的所述透明方形基板的姿态。

    基板收纳装置及利用该基板收纳装置的基板处理装置

    公开(公告)号:CN110970334A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201910644672.9

    申请日:2019-07-17

    Inventor: 孙德铉 金瑅镐

    Abstract: 本发明提供一种基板收纳装置及利用所述基板收纳装置的基板处理装置。所述基板收纳装置包括:外壳,形成有用于基板的出入的搬运出入口,并提供搬入的基板的装载空间;分离膜,与所述外壳结合,将所述装载空间以相互隔离的多个分离空间分隔;气体供应部,向所述装载空间供应用于洗涤所述基板的净化气体;气体排出部,排出在所述装载空间容纳的净化气体;及控制部,按所述多个分离空间分别控制所述净化气体的供应及所述净化气体的排出。

    基板传送设备和基板处理设备

    公开(公告)号:CN112687598B

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202011118584.4

    申请日:2020-10-19

    Inventor: 金秉奎 孙德铉

    Abstract: 公开了一种用于传送基板的设备。所述设备包括:传送机器人;线性导轨单元,所述线性导轨单元包括安装有所述传送机器人的可移动板和所述可移动板在其上行进的运转轴;以及颗粒扩散防止构件,所述颗粒扩散防止构件通过保持所述可移动板与所述运转轴之间的压差来防止颗粒扩散到外部。

    基板处理系统及工艺气体供应控制验证方法

    公开(公告)号:CN119340237A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202311647588.5

    申请日:2023-12-04

    Abstract: 本发明作为基板处理系统以及工艺气体供应控制验证方法,更详细地,公开一种验证将用于执行半导体工艺的工艺气体根据配方(Reicpe)调节为适当流量并供应的质量流量控制器(MFC)的工作的技术。工艺气体供应控制验证方法包括:验证气体供应步骤,用质量流量控制器调节验证气体的供应流量并供应工艺气体,同时通过旁通气体供应线向标定罐供应工艺气体;验证区间选定步骤,通过供应工艺气体而使所述标定罐的状态变化,同时选定验证时间区间;变化状态测定步骤,在所述验证时间区间中测定所述标定罐的变化状态;以及供应流量算出步骤,基于所述标定罐的变化状态测定值来算出对工艺气体的供应流量。

    等离子体处理设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117012606A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310491915.6

    申请日:2023-05-04

    Inventor: 孙德铉

    Abstract: 提供一种等离子体处理装置。所述等离子体处理设备包括:腔室,所述腔室被配置成将等离子体区域与外部隔离,所述等离子体被形成在所述等离子体区域处;芯部,所述芯部位于所述腔室上并且被配置成在所述腔室中形成磁场;以及多个线圈,所述多个线圈被定位成与所述芯部相邻;其中所述芯部包括具有环状形状的第一芯部,并且所述多个线圈包括位于所述第一芯部的顶表面上的第一上部外线圈和第二上部外线圈。

Patent Agency Ranking