公开(公告)号：CN112151346B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202010589986.6

申请日：2020-06-24

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 全炳建 ,  金铉镇 ,  尹基星 ,  成哓星 ,  安宗焕

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/244

Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和方法，所述装置包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支承单元，其在处理空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应到处理空间中；和等离子体生成单元，等离子体生成单元包括RF电源，所述RF电源施加RF功率，其中等离子体生成单元通过使用RF功率从气体生成等离子体。基板支承单元包括：支承板，其支承基板；和加热单元，其控制基板的温度。加热单元包括：多个加热构件，其设置在支承板的不同区域中；加热器电源，其将功率施加至多个加热构件；滤波器，其防止多个加热构件与RF电源之间的耦合；和检测单元，其设置在多个加热构件与滤波器之间，且检测支承板的各个区域的等离子体特性。

公开(公告)号：CN112151346A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010589986.6

申请日：2020-06-24

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 全炳建 ,  金铉镇 ,  尹基星 ,  成哓星 ,  安宗焕

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/244

Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和方法，所述装置包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支承单元，其在处理空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应到处理空间中；和等离子体生成单元，等离子体生成单元包括RF电源，所述RF电源施加RF功率，其中等离子体生成单元通过使用RF功率从气体生成等离子体。基板支承单元包括：支承板，其支承基板；和加热单元，其控制基板的温度。加热单元包括：多个加热构件，其设置在支承板的不同区域中；加热器电源，其将功率施加至多个加热构件；滤波器，其防止多个加热构件与RF电源之间的耦合；和检测单元，其设置在多个加热构件与滤波器之间，且检测支承板的各个区域的等离子体特性。