公开(公告)号：CN1268924A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN98803127.2

申请日：1998-01-21

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： 马启元 ,  陈名玲

IPC: B44C1/22

CPC classification number: H01L39/2496 ,  H01L39/2467 ,  Y10S505/728 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/832

Abstract: 本发明提供了一种用于在超导薄膜上使用选择蚀刻技术形成超导器件(232)的方法。该方法利用将离子注入与化学蚀刻结合的快速蚀刻。超导薄膜要保留的部分在离子注入处理(217)中被掩盖(215)。然后化学蚀刻处理以比没有注入的部分(223)快得多的速度去掉超导薄膜经注入的部分(225,227),从而只保留了未注入的部分(223)。得到的超导器件可以用作超微型结构和微型的尖头、辐射热测量计、多层RF线圈、微波波导和滤波器。

公开(公告)号：CN1102803C

公开(公告)日：2003-03-05

申请号：CN98803127.2

申请日：1998-01-21

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： 马启元 ,  陈名玲

IPC: H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2496 ,  H01L39/2467 ,  Y10S505/728 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/832

Abstract: 本发明提供了一种用于在超导薄膜上使用选择蚀刻技术形成超导器件(232)的方法。该方法利用将离子注入与化学蚀刻结合的快速蚀刻。超导薄膜要保留的部分在离子注入处理(217)中被掩盖(215)。然后化学蚀刻处理以比没有注入的部分(223)快得多的速度去掉超导薄膜经注入的部分(225，227)，从而只保留了未注入的部分(223)。得到的超导器件可以用作超微型结构和微型的尖头、辐射热测量计、多层RF线圈、微波波导和滤波器。