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公开(公告)号：CN1688741A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824047.5
申请日：2003-07-31
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
Inventor： V·格鲁申
IPC: C23C16/00 , C07D207/32
CPC classification number: C23C16/45553 , C07D207/333 , C07D207/335 , C23C16/18 , C23C16/45525
Abstract: 本发明涉及在通过原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的铜沉积中使用的配体和铜络合物的制备方法以及铜络合物在ALD和CVD方法中的应用。
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