公开(公告)号：CN101874281B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200880117766.0

申请日：2008-11-26

Applicant: 纳幕尔杜邦公司

Inventor： L·A·程 ,  A·芬尼莫尔

IPC: H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J29/467 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2203/0272 ,  H01J2329/4673 ,  H01J2329/4691

Abstract: 本发明涉及具有抗紫外绝缘介电层(3.4)的场发射阴极组件。

公开(公告)号：CN101874281A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200880117766.0

申请日：2008-11-26

Applicant: 纳幕尔杜邦公司

Inventor： L·A·程 ,  A·芬尼莫尔

IPC: H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J29/467 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2203/0272 ,  H01J2329/4673 ,  H01J2329/4691

Abstract: 本发明涉及具有抗紫外绝缘介电层(3.4)的场发射阴极组件。