公开(公告)号：CN100382248C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510069240.8

申请日：2005-05-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小川直树 ,  岩元勇人 ,  浅田和己 ,  横田真理 ,  日永康博 ,  西松刚

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  B08B3/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/04

Abstract: 本发明提供了一种单晶片清洗方法及其清洗装置，在该方法和装置中，可以立即执行到冲洗处理的转换，而不受化学液体成份的影响，并且抑制了聚合物和化学液体的残留物，以减少衬底上的缺陷。根据本发明实施例的单晶片清洗方法是下述的单晶片清洗方法，该方法在旋转要被清洗的衬底(30)的同时，通过化学液体(8)和冲洗液体(14)执行清洗，并且在通过在要被清洗的衬底(30)的上部移动化学液体喷嘴(10)来执行化学液体处理之后，通过从冲洗喷嘴(16)喷射出冲洗液体(14)，在要被清洗的衬底(30)上执行冲洗处理，其中冲洗喷嘴(16)被固定放置在不干扰化学液体喷嘴(10)的移动的位置上。

公开(公告)号：CN101314159A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810100542.0

申请日：2008-05-20

Applicant: 索尼株式会社 ,  大日本网目版制造株式会社

Inventor： 岩元勇人 ,  足立训章

IPC: B08B3/08 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/67057 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0064 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明提供一种技术，其在单槽式基板清洗装置中，使用对应药液种类的最合适的阈值进行电阻率的检查，从而能够更加恰当地使冲洗处理结束工作。在本发明的基板清洗装置中，在条件设定画面(42a)上，能够对各个工序单个地设定用于冲洗处理时进行的电阻率检查的阈值。因此，若对应紧接着冲洗处理之前使用的药液的种类来设定各个阈值，则能够在各个工序的冲洗处理中使用最合适的阈值检查电阻率。而且，由此能够恰当结束各个工序的冲洗处理。

公开(公告)号：CN1697138A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510069240.8

申请日：2005-05-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小川直树 ,  岩元勇人 ,  浅田和己 ,  横田真理 ,  日永康博 ,  西松刚

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  B08B3/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/04

Abstract: 本发明提供了一种单晶片清洗方法及其清洗装置，在该方法和装置中，可以立即执行到冲洗处理的转换，而不受化学液体成分的影响，并且抑制了聚合物和化学液体的残留物，以减少衬底上的缺陷。根据本发明实施例的单晶片清洗方法是下述的单晶片清洗方法，该方法在旋转要被清洗的衬底30的同时，通过化学液体8和冲洗液体14执行清洗，并且在通过在要被清洗的衬底30的上部移动化学液体喷嘴10来执行化学液体处理之后，通过从冲洗喷嘴16喷射出冲洗液体14，在要被清洗的衬底30上执行冲洗处理，其中冲洗喷嘴16被固定放置在不干扰化学液体喷嘴10的移动的位置上。