公开(公告)号：CN101714578A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910178949.X

申请日：2009-09-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井本努 ,  马渡浩三

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/73 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种晶体管型保护器件、包括该晶体管型保护器件的半导体集成电路以及制造方法，所述晶体管型保护器件包括：半导体基板；阱部，其由形成于半导体基板中的第一导电型半导体形成；源极区，其由形成于阱部中的第二导电型半导体形成；栅极，其隔着位于源极区一侧的栅极绝缘膜形成于阱部上；漏极区，其由形成于离开栅极一侧的阱部中的第二导电型半导体形成；抗击穿区，在距离栅极正下方的阱部的预定距离处，所述抗击穿区由与漏极区相接触的第二导电型半导体形成；通过确定抗击穿区的合金结形状和杂质浓度分布，当在漏极区或抗击穿区中发生结击穿时，在漏极偏压的作用下未被消耗的区域保留在抗击穿区中。本发明在确定保护器件的导通电压方面具有较少的限制。

公开(公告)号：CN101752369A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910246219.9

申请日：2009-11-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 马渡浩三 ,  矢野元康

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/60 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L27/0259 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请公开了一种半导体集成电路，其包括被保护电路；以及与被保护电路形成在同一半导体衬底上适于保护被保护电路的保护元件，其中保护元件包括其阳极连接在一起以形成浮动节点，其阴极连接至被保护电路的两个二极管，这两个二极管在半导体衬底的阱中阱结构中形成，并且阱中阱结构包括形成浮栅的P型阱、通过衬底深部侧围绕除了衬底前侧的P型阱的表面以形成一个二极管的阴极的N型阱，以及在P型阱中形成的以形成另一个二极管的阴极的第一N型区域。

公开(公告)号：CN101752369B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200910246219.9

申请日：2009-11-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 马渡浩三 ,  矢野元康

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/60 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L27/0259 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请公开了一种半导体集成电路，其包括被保护电路；以及与被保护电路形成在同一半导体衬底上适于保护被保护电路的保护元件，其中保护元件包括其阳极连接在一起以形成浮动节点，其阴极连接至被保护电路的两个二极管，这两个二极管在半导体衬底的阱中阱结构中形成，并且阱中阱结构包括形成浮栅的P型阱、通过衬底深部侧围绕除了衬底前侧的P型阱的表面以形成一个二极管的阴极的N型阱，以及在P型阱中形成的以形成另一个二极管的阴极的第一N型区域。

公开(公告)号：CN101714578B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910178949.X

申请日：2009-09-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井本努 ,  马渡浩三

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/73 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种晶体管型保护器件、包括该晶体管型保护器件的半导体集成电路以及制造方法，所述晶体管型保护器件包括：半导体基板；阱部，其由形成于半导体基板中的第一导电型半导体形成；源极区，其由形成于阱部中的第二导电型半导体形成；栅极，其隔着位于源极区一侧的栅极绝缘膜形成于阱部上；漏极区，其由形成于离开栅极一侧的阱部中的第二导电型半导体形成；抗击穿区，在距离栅极正下方的阱部的预定距离处，所述抗击穿区由与漏极区相接触的第二导电型半导体形成；通过确定抗击穿区的合金结形状和杂质浓度分布，当在漏极区或抗击穿区中发生结击穿时，在漏极偏压的作用下未被消耗的区域保留在抗击穿区中。本发明在确定保护器件的导通电压方面具有较少的限制。