半导体集成电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101752369A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910246219.9

    申请日:2009-11-27

    CPC classification number: H01L27/0259 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本申请公开了一种半导体集成电路,其包括被保护电路;以及与被保护电路形成在同一半导体衬底上适于保护被保护电路的保护元件,其中保护元件包括其阳极连接在一起以形成浮动节点,其阴极连接至被保护电路的两个二极管,这两个二极管在半导体衬底的阱中阱结构中形成,并且阱中阱结构包括形成浮栅的P型阱、通过衬底深部侧围绕除了衬底前侧的P型阱的表面以形成一个二极管的阴极的N型阱,以及在P型阱中形成的以形成另一个二极管的阴极的第一N型区域。

    半导体集成电路
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101752369B

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN200910246219.9

    申请日:2009-11-27

    CPC classification number: H01L27/0259 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本申请公开了一种半导体集成电路,其包括被保护电路;以及与被保护电路形成在同一半导体衬底上适于保护被保护电路的保护元件,其中保护元件包括其阳极连接在一起以形成浮动节点,其阴极连接至被保护电路的两个二极管,这两个二极管在半导体衬底的阱中阱结构中形成,并且阱中阱结构包括形成浮栅的P型阱、通过衬底深部侧围绕除了衬底前侧的P型阱的表面以形成一个二极管的阴极的N型阱,以及在P型阱中形成的以形成另一个二极管的阴极的第一N型区域。

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