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公开(公告)号：CN1692298A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100297.9
申请日：2003-12-02
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B27/2271 , G02B26/0808 , G02B27/2235 , G02B27/2242 , H04N13/388
Abstract: 本发明的课题是，提供一种不用全息技术而直接实现动态图像、静止图像的立体图像，并能进行高速工作的立体图像显示装置。本发明的立体图像显示装置有调制所入射的成为图像信号光的光强度的光调制器阵列；以及沿光轴方向改变来自光调制器阵列的各像素光的成像位置，形成立体剖面像的光偏转器阵列，用对一个像素的光进行驱动的多个光反射膜所对应的衍射型阵列形成光调制器阵列，用对一个像素的光进行驱动的多个光反射膜所对应的阵列形成光偏转器阵列4。
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公开(公告)号：CN101764064B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910266363.9
申请日：2009-12-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/22 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供了一种可以能简化步骤的制作薄膜晶体管的方法。该制作薄膜晶体管的方法包括以下步骤：在衬底上顺序形成栅电极和栅极绝缘膜；按照一定形状在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括预定的沟道形成区域、预定的源电极形成区域和预定的漏电极形成区域，使得整个氧化物半导体膜的载流子密度和预定的沟道形成区域的载流子密度相同；在所述预定的沟道形成区域形成抑制热传输的掩膜；以及在空气中加热所述氧化物半导体膜，以使所述氧化物半导体膜上没有被所述掩膜覆盖的区域获得比预定的沟道形成区域的载流子密度更高的载流子密度。
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公开(公告)号：CN101688292B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200880021999.0
申请日：2008-05-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B1/115 , C23C14/06 , C23C14/3464
Abstract: 本发明提供了一种低折射率膜的沉积方法、通过低折射率膜的沉积方法沉积的低折射率膜、以及包括该低折射率膜的防反射膜，通过该方法可以形成具有均匀的膜内组成分布并且具有低折射率的薄膜。在包括通过反应性溅射法在基板(11)上沉积由MgF2-SiO2构成的低折射率膜的低折射率膜的沉积方法中，使用由MgF2-SiO2的烧结体构成的靶(4A，4B)、通过在惰性气体和O2的混合气体的气氛中在基板(11)与靶(4A，4B)之间施加频率在20至90kHz范围内的交流电压来进行溅射沉积。
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公开(公告)号：CN101343727A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810133516.8
申请日：2008-07-11
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086
Abstract: 本发明公开了一种具有较好的耐电压性能的透明绝缘膜、这样的透明绝缘膜的制造方法、以及在该制造方法中所使用的溅射靶，其中该制造方法包括以下步骤：在惰性气体和氧气的混合气体的气氛中，通过使用包含按重量计50％～90％的锌和按重量计10％～50％的铝的锌铝合金靶进行溅射而在基板上形成透明绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101606085A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004732.0
申请日：2008-02-04
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B26/005 , G02B3/14
Abstract: 本发明公开了一种电润湿装置及其制造方法。根据本发明的电润湿装置(10)可以防止由于高介电常数薄膜的使用而导致的耐压特性的劣化，从而确保具有高可靠性的绝缘结构；并且包括导电性的第一液体(11)、绝缘性的第二液体(12)、限定用于在其中容纳第一和第二液体的液体室(18)的透明基板(14)和盖体(15)、在透明基板(14)的液体室(18)侧的表面上形成的电极层(16)以及在电极层的表面上形成的绝缘层(17)。绝缘层(17)具有由绝缘无机结晶材料制成的第一绝缘膜(17a)和由绝缘无机非晶材料制成的第二绝缘膜(17b)的层压结构，其使得第一绝缘膜(17a)表面的凹凸通过第二绝缘膜(17b)得到缓和，因此可以实现低电压驱动。结果，可以获得耐压强度良好的高可靠性绝缘层。
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公开(公告)号：CN1637490A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410101961.8
申请日：2004-12-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G09G3/3622 , G09G2300/0486 , G09G2310/06 , G09G2310/063
Abstract: 一种显示装置可通过第一驱动器向第一电极施加双极性电压和通过第二驱动器向第二电极施加双极性电压，且该双极性电压具有施加于第一电极的双极性电压的反相特性，从而改变胆甾型液晶的状态来显示信息。该显示装置包括一个控制器，用于控制第一驱动器将双极性电压在预定时间周期中多次施加至第一电极，以及控制第二驱动器将具有与施加至第一电极的双极性电压的反相特性的双极性电压以与施加至第一电极的双极性电压的相同时序施加至第二电极，从而可以将预定象素的胆甾型液晶的状态改变至预定的状态。
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公开(公告)号：CN101764064A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910266363.9
申请日：2009-12-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/22 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供了一种可以能简化步骤的制作薄膜晶体管的方法。该制作薄膜晶体管的方法包括以下步骤：在衬底上顺序形成栅电极和栅极绝缘膜；按照一定形状在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括预定的沟道形成区域、预定的源电极形成区域和预定的漏电极形成区域，使得整个氧化物半导体膜的载流子密度和预定的沟道形成区域的载流子密度相同；在所述预定的沟道形成区域形成抑制热传输的掩膜；以及在空气中加热所述氧化物半导体膜，以使所述氧化物半导体膜上没有被所述掩膜覆盖的区域获得比预定的沟道形成区域的载流子密度更高的载流子密度。
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公开(公告)号：CN101688292A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021999.0
申请日：2008-05-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B1/115 , C23C14/06 , C23C14/3464
Abstract: 本发明提供了一种低折射率膜的沉积方法、通过低折射率膜的沉积方法沉积的低折射率膜、以及包括该低折射率膜的防反射膜，通过该方法可以形成具有均匀的膜内组成分布并且具有低折射率的薄膜。在包括通过反应性溅射法在基板(11)上沉积由MgF 2 -SiO 2 构成的低折射率膜的低折射率膜的沉积方法中，使用由MgF 2 -SiO 2 的烧结体构成的靶(4A，4B)、通过在惰性气体和O 2 的混合气体的气氛中在基板(11)与靶(4A，4B)之间施加频率在20至90KHz范围内的交流电压来进行溅射沉积。
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公开(公告)号：CN100356240C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200410101961.8
申请日：2004-12-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G09G3/3622 , G09G2300/0486 , G09G2310/06 , G09G2310/063
Abstract: 一种显示装置可通过第一驱动器向第一电极施加双极性电压和通过第二驱动器向第二电极施加双极性电压，且该双极性电压具有施加于第一电极的双极性电压的反相特性，从而改变胆甾型液晶的状态来显示信息。该显示装置包括一个控制器，用于控制第一驱动器将双极性电压在预定时间周期中多次施加至第一电极，以及控制第二驱动器将具有与施加至第一电极的双极性电压的反相特性的双极性电压以与施加至第一电极的双极性电压的相同时序施加至第二电极，从而可以将预定象素的胆甾型液晶的状态改变至预定的状态。
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