公开(公告)号：CN101645454A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910161048.X

申请日：2009-08-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 村田昌树

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/144 ,  H01L51/42 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/305 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了光电转换器和光电转换元件。所述光电转换器包括光电转换元件和用来检测电流变化的电流检测电路，所述光电转换元件包括分开设置的第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的光电转换材料层，并且在所述光电转换元件中，当在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压的同时向所述光电转换材料层施加恒定光量时，所述光电转换材料层中产生的电流随着施加时间而改变。本发明的光电转换元件具有高灵敏度和高S/N比的光电转换材料层。

公开(公告)号：CN101645454B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910161048.X

申请日：2009-08-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 村田昌树

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/144 ,  H01L51/42 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/305 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了光电转换器和光电转换元件。所述光电转换器包括光电转换元件和用来检测电流变化的电流检测电路，所述光电转换元件包括分开设置的第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的光电转换材料层，并且在所述光电转换元件中，当在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压的同时向所述光电转换材料层施加恒定光量时，所述光电转换材料层中产生的电流随着施加时间而改变。本发明的光电转换元件具有高灵敏度和高S/N比的光电转换材料层。

公开(公告)号：CN101542698B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780043517.7

申请日：2007-11-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 村田昌树 ,  米屋伸英 ,  木村典生

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0095 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0083 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105 ,  Y10T428/31533 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31692

Abstract: 本发明提供了一种电极覆盖材料、一种电极结构和一种半导体装置，该半导体装置由场效应晶体管构成，该场效应晶体管具有栅极(13)、栅绝缘层(14)、由有机半导体材料层构成的通道形成区域(16)、和由金属制成的源极/漏极(15)。该源极/漏极(15)在其与构成所述通道形成区域(16)的有机半导体材料层所接触的部分用电极覆盖材料(21)所覆盖。由于该电极覆盖材料(21)由具有可结合至金属离子的官能团和结合至由金属制成的源极/漏极(15)的官能团的有机分子构成，所以获得了低接触电阻和高迁移率。

公开(公告)号：CN101542698A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780043517.7

申请日：2007-11-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 村田昌树 ,  米屋伸英 ,  木村典生

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0095 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0083 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105 ,  Y10T428/31533 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31692

Abstract: 本发明提供了一种电极覆盖材料、一种电极结构和一种半导体装置，该半导体装置由场效应晶体管构成，该场效应晶体管具有栅极(13)、栅绝缘层(14)、由有机半导体材料层构成的通道形成区域(16)、和由金属制成的源极/漏极(15)。该源极/漏极(15)在其与构成所述通道形成区域(16)的有机半导体材料层所接触的部分用电极覆盖材料(21)所覆盖。由于该电极覆盖材料(21)由具有可结合至金属离子的官能团和结合至由金属制成的源极/漏极(15)的官能团的有机分子构成，所以获得了低接触电阻和高迁移率。