公开(公告)号：CN101542698B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780043517.7

申请日：2007-11-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 村田昌树 ,  米屋伸英 ,  木村典生

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0095 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0083 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105 ,  Y10T428/31533 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31692

Abstract: 本发明提供了一种电极覆盖材料、一种电极结构和一种半导体装置，该半导体装置由场效应晶体管构成，该场效应晶体管具有栅极(13)、栅绝缘层(14)、由有机半导体材料层构成的通道形成区域(16)、和由金属制成的源极/漏极(15)。该源极/漏极(15)在其与构成所述通道形成区域(16)的有机半导体材料层所接触的部分用电极覆盖材料(21)所覆盖。由于该电极覆盖材料(21)由具有可结合至金属离子的官能团和结合至由金属制成的源极/漏极(15)的官能团的有机分子构成，所以获得了低接触电阻和高迁移率。

公开(公告)号：CN101542698A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780043517.7

申请日：2007-11-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 村田昌树 ,  米屋伸英 ,  木村典生

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0095 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0083 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105 ,  Y10T428/31533 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31692

Abstract: 本发明提供了一种电极覆盖材料、一种电极结构和一种半导体装置，该半导体装置由场效应晶体管构成，该场效应晶体管具有栅极(13)、栅绝缘层(14)、由有机半导体材料层构成的通道形成区域(16)、和由金属制成的源极/漏极(15)。该源极/漏极(15)在其与构成所述通道形成区域(16)的有机半导体材料层所接触的部分用电极覆盖材料(21)所覆盖。由于该电极覆盖材料(21)由具有可结合至金属离子的官能团和结合至由金属制成的源极/漏极(15)的官能团的有机分子构成，所以获得了低接触电阻和高迁移率。