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公开(公告)号：CN101075659B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710102579.2
申请日：2007-05-16
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/055 , H01L51/0022 , H01L51/0541
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法以及采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管由有机半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极依次位于基板上的叠层制成，且该薄膜晶体管的制造方法包括：通过印刷在栅极绝缘膜上图案化涂布栅极电极材料的步骤，以及进行热处理以由于图案化涂布的栅极电极材料的干燥固化来形成栅极电极的步骤。
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公开(公告)号：CN101339343A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810130548.2
申请日：2008-07-07
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 川岛纪之
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02F1/167 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/133305 , G02F1/136213 , G02F2001/136295 , G09G3/3225 , G09G2300/043 , G09G2300/0439 , G09G2300/0809 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种显示装置，包括：用于像素电极开关的像素电路，其配置在基板上；以及覆盖像素电路的层间绝缘膜。在这种显示装置中，层间绝缘膜具有在其底部露出像素电路的连接部分的连接孔，并且在连接孔的底部露出像素电路的相邻的像素电路的连接部分。本发明也提供了制造上述显示装置的方法。
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公开(公告)号：CN101582391B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910142931.4
申请日：2009-05-14
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 川岛纪之
IPC: H01L21/768 , H01L51/40 , H01L21/84
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种图样形成方法、半导体装置的制造方法以及显示器的制造方法。所述图样形成方法包括以下步骤：在基板上通过印刷形成树脂图样；通过这样的方式形成防水图样，即通过从树脂图样的顶部供给氟系材料而用氟系材料来覆盖树脂图样的开口底部；通过去除树脂图样而在防水图样中形成开口窗；并且通过将图样形成材料供给至防水图样的开口窗而形成由图样形成材料构成的目的图样。
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公开(公告)号：CN101339343B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810130548.2
申请日：2008-07-07
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 川岛纪之
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02F1/167 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/133305 , G02F1/136213 , G02F2001/136295 , G09G3/3225 , G09G2300/043 , G09G2300/0439 , G09G2300/0809 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种显示装置，包括：用于像素电极开关的像素电路，其配置在基板上；以及覆盖像素电路的层间绝缘膜。在这种显示装置中，层间绝缘膜具有在其底部露出像素电路的连接部分的连接孔，并且在连接孔的底部露出像素电路的相邻的像素电路的连接部分。本发明也提供了制造上述显示装置的方法。
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公开(公告)号：CN101582391A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910142931.4
申请日：2009-05-14
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 川岛纪之
IPC: H01L21/768 , H01L51/40 , H01L21/84
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种图样形成方法、半导体装置的制造方法以及显示器的制造方法。所述图样形成方法包括以下步骤：在基板上通过印刷形成树脂图样；通过这样的方式形成防水图样，即通过从树脂图样的顶部供给氟系材料而用氟系材料来覆盖树脂图样的开口底部；通过去除树脂图样而在防水图样中形成开口窗；并且通过将图样形成材料供给至防水图样的开口窗而形成由图样形成材料构成的目的图样。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1345093A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01141281.X
申请日：2001-08-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L29/78645 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/12 , H01L29/66825 , H01L29/78648 , H01L29/7881
Abstract: 提供一种能够精确读取数据的存储器装置、该存储器装置的制造方法、以及集成电路。第一控制电极实质上与第二控制电极相面对,传导区和存储区位于其间。在“数据读取”的同时,电势被施加到第一控制电极。在“数据读取”期间,防止了传导区和存储区之间的电势变化,因此防止了信息的无意写入或擦除,从而能够精确地读取写入的信息。
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公开(公告)号：CN102161621A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110033683.7
申请日：2006-05-31
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人北海道大学
IPC: C07C69/76 , C07C255/52 , C07C15/38 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0054 , H01L51/0003 , H01L51/0012 , H01L51/0055 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种有机半导体材料，由下面通式(1)表示的多并苯衍生物组成，通式(1)中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自满足下面(条件-A1)和(条件-A2)：(条件-A1)，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10独立地是相同的取代基或不同的取代基，但是，R1、R4、R5、R6和R10不能同时为氢原子。(条件-A2)，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自是至少一种选自以下的取代基组的取代基：有取代基的碳原子数为1-20的脂族烃基、有取代基的芳族烃基、有取代基的配位芳基、羧基、氢化物、酯基、氰基、羟基、卤原子和氢原子。通式(1)；本发明提供一种能在低温(例如，室温)溶解于有机溶剂并能适合采用涂布方法的有机半导体材料。
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公开(公告)号：CN101075659A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710102579.2
申请日：2007-05-16
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/055 , H01L51/0022 , H01L51/0541
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法以及采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管由有机半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极依次位于基板上的叠层制成，且该薄膜晶体管的制造方法包括：通过印刷在栅极绝缘膜上图案化涂布栅极电极材料的步骤，以及进行热处理以由于图案化涂布的栅极电极材料的干燥固化来形成栅极电极的步骤。
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公开(公告)号：CN101635333B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910158226.3
申请日：2009-07-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0566 , H01L51/0004 , H01L51/0537 , H01L51/0545 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备，所述半导体复合膜包括：包含有机半导体材料的半导体薄膜层；由在膜厚度方向上与有机半导体材料相分离的高分子材料形成的绝缘薄膜层；以及分散在半导体薄膜层和绝缘薄膜层的至少一者中的微粒材料。所述半导体复合膜形成方法包括：配制油墨，使有机半导体材料、高分子材料及微粒材料溶解在溶剂中；利用印刷方法在基板上形成包含上述油墨的材料层；以及通过除去材料层中的溶剂，在膜厚度方向上使有机半导体材料和高分子材料相分离并实现固化。本发明能通过半导体材料与高分子材料的含量比来控制相分离，并通过微粒材料的分散量来良好地控制膜形成用油墨的粘度和触变性。
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公开(公告)号：CN101635333A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910158226.3
申请日：2009-07-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0566 , H01L51/0004 , H01L51/0537 , H01L51/0545 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备，所述半导体复合膜包括：包含有机半导体材料的半导体薄膜层；由在膜厚度方向上与有机半导体材料相分离的高分子材料形成的绝缘薄膜层；以及分散在半导体薄膜层和绝缘薄膜层的至少一者中的微粒材料。所述半导体复合膜形成方法包括：配制油墨，使有机半导体材料、高分子材料及微粒材料溶解在溶剂中；利用印刷方法在基板上形成包含上述油墨的材料层；以及通过除去材料层中的溶剂，在膜厚度方向上使有机半导体材料和高分子材料相分离并实现固化。本发明能通过半导体材料与高分子材料的含量比来控制相分离，并通过微粒材料的分散量来良好地控制膜形成用油墨的粘度和触变性。
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