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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102332276A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110197666.7
申请日：2004-11-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G03F7/0043 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/083 , C23C14/3492 , G03F7/0015 , G03F7/16 , G03F7/167 , G11B7/007 , G11B7/261 , G11B7/266
Abstract: 本发明涉及光盘用母盘的制造方法以及光盘用母盘，并具体涉及一种通过在衬底上溅射形成由过渡金属的不完全氧化物构成的无机光刻胶层作为膜的方法。过渡金属本身或其合金，或者其氧化物用作靶材料，并且氧或氮用作反应气体。通过改变反应气体的比率或成膜输出，可以使无机光刻胶层的氧浓度在厚度方向不同。曝光并且显影无机光刻胶层，从而获得用于设置有凹坑、组群等的精细凹凸图案的光盘的原始盘。当氧浓度增大时，可以实现感光度提高，从而实现感光度沿着无机光刻胶层的厚度方向的变化。从而，可以在单个盘上设置不同深度的凹凸结构。
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公开(公告)号：CN1890733B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200480035687.7
申请日：2004-11-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G03F7/0043 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/083 , C23C14/3492 , G03F7/0015 , G03F7/16 , G03F7/167 , G11B7/007 , G11B7/261 , G11B7/266
Abstract: 本发明涉及光盘用母盘的制造方法以及光盘用母盘，并具体涉及一种通过在衬底上溅射形成由过渡金属的不完全氧化物构成的无机光刻胶层作为膜的方法。过渡金属本身或其合金，或者其氧化物用作靶材料，并且氧或氮用作反应气体。通过改变反应气体的比率或成膜输出，可以使无机光刻胶层的氧浓度在厚度方向不同。曝光并且显影无机光刻胶层，从而获得用于设置有凹坑、组群等的精细凹凸图案的光盘的原始盘。当氧浓度增大时，可以实现感光度提高，从而实现感光度沿着无机光刻胶层的厚度方向的变化。从而，可以在单个盘上设置不同深度的凹凸结构。
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公开(公告)号：CN1890733A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480035687.7
申请日：2004-11-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G03F7/0043 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/083 , C23C14/3492 , G03F7/0015 , G03F7/16 , G03F7/167 , G11B7/007 , G11B7/261 , G11B7/266
Abstract: 本发明涉及光盘用母盘的制造方法以及光盘用母盘，并具体涉及一种通过在衬底上溅射形成由过渡金属的不完全氧化物构成的无机光刻胶层作为膜的方法。过渡金属本身或其合金，或者其氧化物用作靶材料，并且氧或氮用作反应气体。通过改变反应气体的比率或成膜输出，可以使无机光刻胶层的氧浓度在厚度方向不同。曝光并且显影无机光刻胶层，从而获得用于设置有凹坑、组群等的精细凹凸图案的光盘的原始盘。当氧浓度增大时，可以实现感光度提高，从而实现感光度沿着无机光刻胶层的厚度方向的变化。从而，可以在单个盘上设置不同深度的凹凸结构。
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公开(公告)号：CN1327415C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN03800858.0
申请日：2003-04-22
Applicant: 索尼株式会社 , 索尼磁碟科技股份有限公司
IPC: G11B7/0045 , G11B20/10 , G11B20/12
CPC classification number: G11B7/00455 , G11B7/00736 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B20/10
Abstract: 一种通过采用了一种结构可以低成本制造的光记录介质和一种相应于一再现专用光记录介质结构的制造方法。这种光记录介质能够附加地记录诸如密码、标记等之类其它新的信息，能够可靠地对它们加以记录，并且拥有令人满意的特性。光记录介质(S)包括有一信息层(2)，信息层(2)包括一反射膜(3)，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分。反射膜由具有不小于20μΩ.cm和不大于90μΩ.cm的电阻率的Al合金或Cu合金形成，能够通过热记录把信息附加地记录在反射膜(3)上。
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公开(公告)号：CN1545698A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN03800858.0
申请日：2003-04-22
Applicant: 索尼株式会社 , 索尼磁碟科技股份有限公司
IPC: G11B7/0045 , G11B20/10 , G11B20/12
CPC classification number: G11B7/00455 , G11B7/00736 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B20/10
Abstract: 一种通过采用了一种结构可以低成本制造的光记录介质和一种相应于一再现专用光记录介质结构的制造方法。这种光记录介质能够附加地记录诸如密码、标记等之类其它新的信息，能够可靠地对它们加以记录，并且拥有令人满意的特性。光记录介质(S)包括有一信息层(2)，信息层(2)包括一反射膜(3)，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分。反射膜由具有不小于20μΩ.cm和不大于90μΩ.cm的电阻率的Al合金或Cu合金形成，能够通过热记录把信息附加地记录在反射膜(3)上。
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