-
公开(公告)号：CN101257091B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810006255.3
申请日：2008-02-04
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 保原大介
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法。该装置包括：相对设置的多个电极；半导体分子，设置成使其一个端部结合至相对电极中的每一个的电极表面；以及导体，用于将设置在相对电极的一个电极中的半导体分子的另一个端部的至少一部分电连接至设置在相对电极的另一个电极中的半导体分子的另一个端部的至少一部分。相对电极之间的导电性基本上由半导体分子中的电连接至相对电极之间的导体的半导体分子的导电性来确定。该半导体装置的沟道区的导电性极好而不被分子间电荷迁移限制，并且可以被容易且安全地制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101685845B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910176186.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/428 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/66742 , H01L29/78681 , H01L31/0352 , H01L31/03845 , H01L31/072 , H01L31/073 , H01L51/0037 , H01L51/426 , H01L2251/308 , Y02E10/543 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了半导体薄膜的形成方法以及电子设备的制造方法，其中，形成半导体薄膜的方法包括以下步骤：(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液并对涂层进行干燥以形成半导体微粒层，以及(b)将半导体微粒层浸入溶液中以形成半导体薄膜。通过本发明，可以使用无机半导体微粒作为起始材料通过简单方便的湿处理来以低成本地形成具有期望特性的半导体薄膜，从而提供具有期望特性的电子设备。
-
公开(公告)号：CN1783530B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200510131514.1
申请日：2005-09-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0084 , B82Y30/00 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/4213 , H01L51/426
Abstract: 一种半导体器件，包括导体或半导体的细粒、以及与细粒相结合从而形成导电通路的有机半导体分子，导电通路的电导率通过电场来控制。在该半导体器件中，与相邻细粒相结合的保护膜分子彼此结合，形成使细粒彼此连接的有机半导体分子。
-
公开(公告)号：CN101685845A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910176186.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/428 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/66742 , H01L29/78681 , H01L31/0352 , H01L31/03845 , H01L31/072 , H01L31/073 , H01L51/0037 , H01L51/426 , H01L2251/308 , Y02E10/543 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了半导体薄膜的形成方法以及电子设备的制造方法，其中，形成半导体薄膜的方法包括以下步骤：(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液并对涂层进行干燥以形成半导体微粒层，以及(b)将半导体微粒层浸入溶液中以形成半导体薄膜。通过本发明，可以使用无机半导体微粒作为起始材料通过简单方便的湿处理来以低成本地形成具有期望特性的半导体薄膜，从而提供具有期望特性的电子设备。
-
公开(公告)号：CN101257091A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810006255.3
申请日：2008-02-04
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 保原大介
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法。该装置包括：相对设置的多个电极；半导体分子，设置成使其一个端部结合至相对电极中的每一个的电极表面；以及导体，用于将设置在相对电极的一个电极中的半导体分子的另一个端部的至少一部分电连接至设置在相对电极的另一个电极中的半导体分子的另一个端部的至少一部分。相对电极之间的导电性基本上由半导体分子中的电连接至相对电极之间的导体的半导体分子的导电性来确定。该半导体装置的沟道区的导电性极好而不被分子间电荷迁移限制，并且可以被容易且安全地制备。
-
公开(公告)号：CN1783530A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510131514.1
申请日：2005-09-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0084 , B82Y30/00 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/4213 , H01L51/426
Abstract: 一种半导体器件，包括导体或半导体的细粒、以及与细粒相结合从而形成导电通路的有机半导体分子，导电通路的电导率通过电场来控制。在该半导体器件中，与相邻细粒相结合的保护膜分子彼此结合，形成使细粒彼此连接的有机半导体分子。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.034 seconds)
