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公开(公告)号：CN102222676A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110166202.X
申请日：2009-05-11
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 东宫祥哲
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供了固体摄像器件和电子装置，所述固体摄像器件包括：具有光入射面的半导体基板；布置在所述光入射面上的多个像素；布置在各个所述像素中的光电二极管；布置在所述半导体基板上并覆盖住所述光电二极管的绝缘膜；埋入在所述绝缘膜中的各布线；蚀刻阻挡膜，其离开所述各布线之中的最下层布线而被布置成靠近所述半导体基板，至少覆盖住布置有各个所述光电二极管的区域，并且由碳化硅形成；布置在各个所述光电二极管上方并到达所述蚀刻阻挡膜的凹槽；以及用于填充各个所述凹槽的光波导，所述光波导具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率。因此，能够进一步改善诸如暗电流和白点缺陷等特性，提高灵敏度并减小混色量。
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公开(公告)号：CN101577288B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910137556.4
申请日：2009-05-11
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 东宫祥哲
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供了固体摄像器件和电子装置，所述固体摄像器件包括：具有光入射面的半导体基板；布置在所述光入射面上的多个像素；布置在各个所述像素中的光电二极管；布置在所述半导体基板上并覆盖住所述光电二极管的绝缘膜；埋入在所述绝缘膜中的各布线；蚀刻阻挡膜，其离开所述各布线之中的最下层布线而被布置成靠近所述半导体基板，至少覆盖住布置有各个所述光电二极管的区域，并且由碳化硅形成；布置在各个所述光电二极管上方并到达所述蚀刻阻挡膜的凹槽；以及用于填充各个所述凹槽的光波导，所述光波导具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率。因此，能够进一步改善诸如暗电流和白点缺陷等特性，提高灵敏度并减小混色量。
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公开(公告)号：CN102222676B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110166202.X
申请日：2009-05-11
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 东宫祥哲
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供了固体摄像器件和电子装置，所述固体摄像器件包括：具有光入射面的半导体基板；布置在所述光入射面上的多个像素；布置在各个所述像素中的光电二极管；布置在所述半导体基板上并覆盖住所述光电二极管的绝缘膜；埋入在所述绝缘膜中的各布线；蚀刻阻挡膜，其离开所述各布线之中的最下层布线而被布置成靠近所述半导体基板，至少覆盖住布置有各个所述光电二极管的区域，并且由碳化硅形成；布置在各个所述光电二极管上方并到达所述蚀刻阻挡膜的凹槽；以及用于填充各个所述凹槽的光波导，所述光波导具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率。因此，能够进一步改善诸如暗电流和白点缺陷等特性，提高灵敏度并减小混色量。
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公开(公告)号：CN101626028A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910150082.7
申请日：2009-07-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/528 , H01L21/82 , H01L21/768 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明提供了固体摄像器件及其制造方法以及摄像装置，所述固体摄像器件包括：具有包括光电转换部的像素区域的半导体基板、包括导线并隔着绝缘膜被布置在半导体基板上的布线部、连接至导线的金属焊盘、覆盖金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜以及波导材料层。在光电转换部上方的布线部和焊盘覆层绝缘膜中都设有开口，且它们的开口彼此连续从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口。波导材料层隔着钝化层被布置在波导开口中及焊盘覆层绝缘膜上。焊盘覆层绝缘膜具有50～250nm范围内的厚度且具有限定该焊盘覆层绝缘膜中的开口的面。该面是倾斜的，并且朝着波导开口的敞开侧逐渐扩宽。在本发明中，增加了光电转换部能够接收的光量。因而，能够提高灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100587961C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710197170.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , H04N5/225 , H04N5/335 , H04N9/07
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置及其制造方法和照相机。所述固体摄像装置，即使设有光波导，也可以利用更简单的工序制造。所述固体摄像装置，在成为半导体衬底(10)的受光面的像素区域(RPX)形成有被每个像素划分的光电二极管(PD)和读取在光电二极管(PD)上生成并存储的信号电荷或根据信号电荷产生的电压的信号读取部；覆盖光电二极管且在半导体衬底上形成有绝缘膜(15～17，20～22，25～27，30，31，33)；在光电二极管的上方部分，在绝缘膜上形成有凹部(H)；在焊盘电极区域(RPAD)，在绝缘膜上层形成有焊盘电极(32)；覆盖凹部内壁且在比焊盘电极更上层形成有高折射率的钝化膜(36)；在钝化膜上层埋入凹部而形成有高折射率的埋入层(37)。
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公开(公告)号：CN101577288A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910137556.4
申请日：2009-05-11
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 东宫祥哲
IPC: H01L27/146 , H01L23/52 , H01L31/0232 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供了固体摄像器件和电子装置，所述固体摄像器件包括：具有光入射面的半导体基板；布置在所述光入射面上的多个像素；布置在各个所述像素中的光电二极管；布置在所述半导体基板上并覆盖住所述光电二极管的绝缘膜；埋入在所述绝缘膜中的各布线；蚀刻阻挡膜，其离开所述各布线之中的最下层布线而被布置成靠近所述半导体基板，至少覆盖住布置有各个所述光电二极管的区域，并且由碳化硅形成；布置在各个所述光电二极管上方并到达所述蚀刻阻挡膜的凹槽；以及用于填充各个所述凹槽的光波导，所述光波导具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率。因此，能够进一步改善诸如暗电流和白点缺陷等特性，提高灵敏度并减小混色量。
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公开(公告)号：CN1685514A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823175.1
申请日：2003-09-18
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 东宫祥哲
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14627 , H01L31/02327
Abstract: 本发明涉及一种CMOS型固态成像装置和制造其的方法，而且提供了一种能够通过单一内层透镜最佳地会聚光的固态成像装置和一种能够形成具有高精度的内层透镜的制造方法。本发明的固态成像装置包括多条布线和在光接收部分上方的多个透镜，其中多个透镜中的至少一个由单一内层透镜形成。制造本发明的固态成像制造的方法包括用选择蚀刻法在具有第一折射率的第一绝缘层上形成凹表面或凸表面和在具有第二折射率的第二绝缘层上形成凸表面或凹表面以形成对应于光接收部分的内层透镜。
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公开(公告)号：CN101626028B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910150082.7
申请日：2009-07-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明提供了固体摄像器件及其制造方法以及摄像装置，所述固体摄像器件包括：具有包括光电转换部的像素区域的半导体基板、包括导线并隔着绝缘膜被布置在半导体基板上的布线部、连接至导线的金属焊盘、覆盖金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜以及波导材料层。在光电转换部上方的布线部和焊盘覆层绝缘膜中都设有开口，且它们的开口彼此连续从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口。波导材料层隔着钝化层被布置在波导开口中及焊盘覆层绝缘膜上。焊盘覆层绝缘膜具有50～250 nm范围内的厚度且具有限定该焊盘覆层绝缘膜中的开口的面。该面是倾斜的，并且朝着波导开口的敞开侧逐渐扩宽。在本发明中，增加了光电转换部能够接收的光量。因而，能够提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN101197386A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710197170.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , H04N5/225 , H04N5/335 , H04N9/07
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置及其制造方法和照相机。所述固体摄像装置，即使设有光波导，也可以利用更简单的工序制造。所述固体摄像装置，在成为半导体衬底(10)的受光面的像素区域(RPX)形成有被每个像素划分的光电二极管(PD)和读取在光电二极管(PD)上生成并存储的信号电荷或根据信号电荷产生的电压的信号读取部；覆盖光电二极管且在半导体衬底上形成有绝缘膜(15～17，20～22，25～27，30，31，33)；在光电二极管的上方部分，在绝缘膜上形成有凹部(H)；在焊盘电极区域(RPAD)，在绝缘膜上层形成有焊盘电极(32)；覆盖凹部内壁且在比焊盘电极更上层形成有高折射率的钝化膜(36)；在钝化膜上层埋入凹部而形成有高折射率的埋入层(37)。
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